sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:DF23MR12W1M1PB11BPSA1
Руководство по данным:DF23MR12W1M1PB11BPSA1.pdf
бренд:INFINEON
год выпуска:23+
пакет:Модули
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 5000
Усилительный модуль DF23MR12W1M1PB11BPSA1 EasyPACK™ 1B 1200 В, 23 мОм с MOSFET CoolSiC™, NTC, предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом и технологией контактов PressFIT, с увеличенным номинальным током диодов Шоттки CoolSiC™ в усилительном каскаде для обеспечения более высокого входного тока от фотоэлектрических панелей.
Атрибуты продукта
Технология: Карбид кремния (SiC)
Конфигурация: 2 N-канальных (сдвоенных)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1200 В (1,2 кВ)
Ток - непрерывный дренаж (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45мОм @ 25A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 62nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 1840пФ @ 800В
Мощность - макс: 20 мВт
Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа: Крепление на шасси
Упаковка / корпус: Модуль
Краткое описание характеристик
Высокая плотность тока
Лучшие в классе потери на переключение и проводимость
Низкая индуктивность конструкции
Встроенный датчик температуры NTC
Технология контактов PressFIT
Модули, соответствующие требованиям RoHS
Преимущества
Высочайший КПД для снижения затрат на охлаждение
Работа на более высокой частоте
Повышенная плотность мощности
Оптимизация времени цикла разработки и затрат заказчика
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 - MOSFET-модуль Boosters 1200 В CoolSiC™.
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
Модуль
3000
Карбидокремниевые MOSFET-модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module
INFINEON
Модуль
3000
Карбидокремниевые MOSFET-модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module
INFINEON
Модуль
2000
Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™
INFINEON
Модуль
2000
Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™
INFINEON
Модуль
2000
Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IM64A130A
IM64A130A: Аналоговый МЭМС-микрофон XENSIV™ - лучший вариант для автомобильных приложений средней производительностиОбзоры:IM64A130A - аналоговый М…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: