Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

FF8MR12W1M1HC58

Produktbeschreibung:1200 В, модуль полумоста MOSFET EasyDUAL™ 1B CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF300R12W2T7EB11

Produktbeschreibung:1200 В, 300 мОм, модуль полумоста MOSFET EasyDUAL™ 2B CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF200R12W2T7EB11

Produktbeschreibung:1200 В, 200 мОм, модуль полумоста MOSFET EasyDUAL™ 2B CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF150R12W2T7EB11

Produktbeschreibung:1200 В, 150 мОм, модуль полумоста MOSFET EasyDUAL™ 2B CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF6MR20W2M1HB70

Produktbeschreibung:2000 В, 6 мОм, EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF4000UXTR33T2M1

Produktbeschreibung:3,3 кВ, 4,0 мОм, XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Модуль

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF2600UXTR33T2M1

Produktbeschreibung:Карбидокремниевые MOSFET-модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF2000UXTR33T2M1

Produktbeschreibung:Карбидокремниевые MOSFET-модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module

пакет:Модуль
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS28MR12W1M1HB11

Produktbeschreibung:Шестиэлементный модуль CoolSiC™ MOSFET на 1200 В

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS13MR12W2M1HC55

Produktbeschreibung:Трехфазный мостовой модуль 1200 В CoolSiC™ MOSFET SixPACK

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF8MR12W1M1HS4PB11

Produktbeschreibung:Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
F411MR12W2M1HPB76

Produktbeschreibung:четырехпакетный модуль 1200 В CoolSiC™ MOSFET

пакет:Модуль
10 шт.
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF8MR12W1M1HB70

Produktbeschreibung:Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF5MR20KM1HP

Produktbeschreibung:Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF5MR20KM1H

Produktbeschreibung:Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF55MR12W1M1HB70

Produktbeschreibung:Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™

пакет:Модуль
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 94 записи«Предыдущая страница1234...6Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler