sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:FF6MR12KM1PHOSA1
Руководство по данным:FF6MR12KM1PHOSA1.pdf
бренд:INFINEON
год выпуска:23+
пакет:MODULE
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
FF6MR12KM1PHOSA1 62 мм 1200 В, 6 мОм полумостовой модуль с чипом CoolSiC™ MOSFET, предварительно покрытый термоинтерфейсным материалом.
Параметры изделия
Технология: карбид кремния (SiC)
Конфигурация: 2 N-канала (полумост)
Функция FET: -
Напряжение истока стока (Vdss): 1200 В (1,2 кВ)
Ток при 25°C - непрерывный сток (Id): 250A (Tc)
Сопротивление включения при различных Id, Vgs (max): 5,81 миллиом @ 250A, 15V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 5,15 В @ 80 мА
Заряд затвора (Qg) при различных Vgs (макс.): 496nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) при различных Vds (макс.): 14700pF @ 800V
Мощность - макс: -
Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа: крепление на шасси
Упаковка / корпус: Модуль
Упаковка устройства поставщика: AG-62MM
Описание характеристик
Отличная надежность оксида затвора
Надежность и устойчивость к влажности
Интегрированная конструкция интегрального диода для прочности и оптимальных тепловых характеристик
Сильная устойчивость к космическому излучению
Высокая скорость переключения при очень низких потерях
Симметричные характеристики переключения верхнего и нижнего мостовых рычажных переключателей модуля
Производятся на проверенной 62-мм стандартной линии массового производства по структурированному технологическому процессу, что обеспечивает стабильное и надежное качество модулей CoolSiC™ MOSFET.
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
Модуль
3000
Карбидокремниевые MOSFET-модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module
INFINEON
Модуль
3000
Карбидокремниевые MOSFET-модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module
INFINEON
Модуль
2000
Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™
INFINEON
Модуль
2000
Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™
INFINEON
Модуль
2000
Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IM64A130A
IM64A130A: Аналоговый МЭМС-микрофон XENSIV™ - лучший вариант для автомобильных приложений средней производительностиОбзоры:IM64A130A - аналоговый М…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: