sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Карбид кремния (Sic) MOSFET
бренд:ON
год выпуска:24+
пакет:TO-247-4
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 3000
Nvh4l032n0665v MOSFET использует совершенно новые технологии, которые могут обеспечить превосходную мощность переключателя и более высокую надежность по сравнению с кремнием. Более того, низкопроводящее сопротивление и компактный размер чипа обеспечивают низкий емкость и низкий заряд сетки. Таким образом, системные преимущества включают в себя максимальную эффективность, более быструю частоту работы, более высокую плотность мощности, более низкие EMI и меньшие системные размеры.
Характеристики:
* типичная RDS (on) = 32 m @VGS = 18 V
• сверхнизкий заряд сетки (QG (tot) = 55 нc)
• высокоскоростной переключатель с низкой емкостью (Coss = 114 pF)
• 100% тест на лавину
• соответствует стандартам AEC-Q101 и поддерживает PPAP
• отсутствие галогенидов в настоящем оборудованию соответствует иммунитету RoHS 7a, несвинцом 2LI (вторичная взаимосвязь)
Приложение:
• зарядка для автомобиля
* DC-DC конвертер для автомобилей, используемых в evv /HEV
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ROHM
TO-263-7
2000
Силовые транзисторы mosfet на основе карбида кремния n-канального типа
ROHM
TO-3PFM-3
2000
Силовые транзисторы mosfet на основе карбида кремния n-канального типа, 1700 в, 3.7 а
ROHM
TO-247-3
2000
Силовые транзисторы mosfet на основе карбида кремния n-канального типа, 650 в, 118 а
ST
HU3PAK-7
2000
750V 11.4m Ом автомобильный карбид кремния мощности MOSFET транзистор
Wolfspeed
TO-247-3
2000
N-канальные силовые МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы из карбида кремния
Wolfspeed
TO-247-3
2000
N-канальные силовые МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы из карбида кремния
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S - это высокопроизводительный быстродействующий JFET F3 SiC с каскодным оптимизированным MOSFET для создания единственного на современн…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1: 1700 В, 45 А, 53 мОм, карбид кремния (SiC) N-канальный MOSFET транзистор, TO-247-4Модель: NVH4L050N170M1Корпус: TO-247-4Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзисто…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: