sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:IKZA40N65RH5XKSA1
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:TO-247-4
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
IGBT IKZA40N65RH5XKSA1 - это высокоскоростной прибор, разработанный для обеспечения максимальной эффективности в приложениях с частотой переключения более 30 кГц. Этот высокоскоростной 5 IGBT оснащен технологией TRENCHSTOP™ 5 со встроенным быстрым гибким обратнопараллельным диодом RAPID 1.
Особенности
● Использование высокоскоростной технологии H5 обеспечивает следующие преимущества:
● Переключение со сверхнизкими потерями
● Превосходная эффективность в топологиях с жестким переключением и резонансных топологиях
● Возможность замены IGBT предыдущего поколения по принципу plug-and-play
● Напряжение пробоя 650 В
● Низкий заряд затвора
● Максимальная температура спая: 175°C
● Соответствие целевым приложениям в соответствии со стандартами JEDEC
● Бессвинцовое покрытие выводов
● Соответствие требованиям RoHS
Области применения
● ИБП
● Сварочные преобразователи
● Инверторы для солнечных батарей
● Средне- и высокочастотные импульсные инверторы
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с отсечкой по полю 1200 В 50 А 395 Вт со сквозным отверстием TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 132 A 348 Вт Сквозное отверстие TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT траншейного типа с полевым отключением 650 В 96 А 254 Вт со сквозным отверстием TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 50 А 395 Вт со сквозным отверстием TO-247N
INFINEON
PG-TO247-3
1000
IGBT С отсечкой по полю 650 В 80 А 333 Вт Сквозное отверстие PG-TO247-3
ROHM
TO-3PFM
1000
IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 45 А 94 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 30 А 267 Вт со сквозным отверстием TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 80 А 214 Вт Сквозное отверстие TO-247N
ROHM
TO-3PFM
1000
IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 45 А 89 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: