Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
sales@hkmjd.com
sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Первая страница
/Интегральная схема (ИС)/силовое устройство/IGBT - биполярный транзистор с изолированным затвором/Однотрубный IGBT
наименование товара:IXA33IF1200HB
бренд:IXYS
год выпуска:24+
пакет:TO-247-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
Высокоскоростные IGBT IXA33IF1200HB - это высокоскоростные биполярные транзисторы с изолированным затвором на 1200 В с высоким коэффициентом усиления. Высокоскоростные IGBT на 1200 В XPT имеют высокие номинальные токи (от 105 до 160 А, Tc = 25°C) и оптимизированы для снижения потерь при переключении в высоковольтных приложениях, требующих жестких частот переключения до 50 кГц.
Атрибуты продукта
Тип IGBT: PT
Напряжение - пробой коллектора (макс.): 1200 В
Ток - коллектор (Ic) (макс.): 58 A 58 A
Vce (проводимость) при различных Vge, Ic (макс.): 2.1V @ 15V, 25A
Мощность - макс: 250 Вт
Энергия переключения: 2,5 мДж (включено), 3 мДж (выключено)
Тип входа: стандартный
Заряд затвора 76 нК
Условия испытаний 600 В, 25 А, 39 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr): 350 нс
Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа: сквозное отверстие
Упаковка/корпус: TO-247-3
Корпус устройства поставщика: TO-247AD
Области применения
● Высокочастотные инверторы
● Источники бесперебойного питания
● Моторные приводы
● SMPS
● цепи КРМ
● Зарядные устройства
● Сварочные аппараты
● Балласты ламп
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с отсечкой по полю 1200 В 50 А 395 Вт со сквозным отверстием TO-247N
INFINEON
TO-247-4
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 74 А 250 Вт сквозное отверстие PG-TO247-4-3
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 132 A 348 Вт Сквозное отверстие TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT траншейного типа с полевым отключением 650 В 96 А 254 Вт со сквозным отверстием TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 50 А 395 Вт со сквозным отверстием TO-247N
INFINEON
PG-TO247-3
1000
IGBT С отсечкой по полю 650 В 80 А 333 Вт Сквозное отверстие PG-TO247-3
ROHM
TO-3PFM
1000
IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 45 А 94 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 30 А 267 Вт со сквозным отверстием TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 80 А 214 Вт Сквозное отверстие TO-247N
ROHM
TO-3PFM
1000
IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 45 А 89 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
IXYS со штаб-квартирой в Силиконовой долине, США, была основана в 1983 г. Основное направление деятельности: MOSFET, IGBT, тиристор, SCR, выпрямительн…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR - это N-канальный 1200-вольтовый SiC MOSFET модуль.Технические характеристикиПродукт: Модули силовых МОП-транзисторов Тип: Полумостово…
IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC - это N-канальный 1200V 47A SiC MOSFET модуль.Технические характеристикиТип: HiperFET Технология: SiC Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В Стиль…
IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV — 25 в 29 а сер IGBT высок давлен, устройств принят собствен XPT ™ BoJing круг техническ и наибол передов IGBT технологическ исследован, сопро…
IXGX320N60B3
IXGX320N60B3 — среднечастотный IGBT, производимый с использованием технологии HDMOS IGBT для PT (пирсинга).600V GenX3 ™ направлен на ток прикладн оптимизир…
IXBK55N300
IXBK55N300 — семейство IGBT, разработанное компанией ixbk55n300 для производства сверхвысокого напряжения.BiMOSFET имеет преимущества в совместве с MOSFE…
MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - Силовые MOSFET-транзисторы класса X2 на 600 В, 160 мОм, 18 А с диодом FRED Co-PackКлючевые характеристики MOSFET- Низкие RDS(ON) и QG- Быстрое переключе…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу:
