sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:RGS30TSX2DGC11
бренд:ROHM
год выпуска:24+
пакет:TO-247-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
Траншейные IGBT с полевой заделкой RGS30TSX2DGC11 - это биполярные транзисторы с изолированным затвором с гарантированным временем работы 10 мкс SCSOA (Short Circuit Safe Operating Area), которые подходят для использования в инверторах общего назначения, ИБП, фотоэлектрических инверторах и кондиционерах питания. Благодаря низким потерям проводимости они помогают уменьшить размеры и повысить эффективность. В этих устройствах используются примитивные технологии траншейного затвора и тонких пластин. Эти технологии позволяют достичь низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) при снижении потерь на переключение.
Характеристики
● Время выдерживания короткого замыкания: 10 мкс
● Встроенный диод быстрого плавного восстановления FRD
● Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
● НАПРЯЖЕНИЕ ЗАТВОР-ЭМИТТЕР (VGES): ±30В
● Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 1,7 В
● Пороговое напряжение затвор-эмиттер (VGE(th)): 7 В
● Диапазон рабочих температур спая: от -40°C до +175°C
● Корпус TO-247N
● Бессвинцовый, соответствует требованиям RoHS
Области применения
● Инверторы общего назначения
● ИБП
● Фотоэлектрические инверторы
● Регуляторы мощности
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с отсечкой по полю 1200 В 50 А 395 Вт со сквозным отверстием TO-247N
INFINEON
TO-247-4
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 74 А 250 Вт сквозное отверстие PG-TO247-4-3
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 132 A 348 Вт Сквозное отверстие TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT траншейного типа с полевым отключением 650 В 96 А 254 Вт со сквозным отверстием TO-247N
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 50 А 395 Вт со сквозным отверстием TO-247N
INFINEON
PG-TO247-3
1000
IGBT С отсечкой по полю 650 В 80 А 333 Вт Сквозное отверстие PG-TO247-3
ROHM
TO-3PFM
1000
IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 45 А 94 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM
ROHM
TO-247-3
1000
IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 80 А 214 Вт Сквозное отверстие TO-247N
ROHM
TO-3PFM
1000
IGBT траншейного типа с отсечкой по полю 650 В 45 А 89 Вт со сквозным отверстием TO-3PFM
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ROHM Co., Ltd. является одним из ведущих мировых производителей полупроводников со штаб-квартирой в Киото, Япония. Компания ROHM разрабатывает и…
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2 — нан кэп ™ 650V ид HEMT мощност IC, очен распространя на требовательн плотност энерговыделен и эффективн различн электрон систем. Уст…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL — одно200v-канавка, разработанная компанией MOSFET 17A SiC(карбид кремния) с небольшой инкапсуляцией TO-263-7. Он характеризуется устойчивост…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: