sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:GCMS040B120S1-E1
бренд:SemiQ
год выпуска:24+
пакет:SOT-227-4
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
Модуль питания SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK оснащен высокоскоростным переключаемым SiC MOSFET, простым в управлении, очень прочным и легким в установке.GCMS040B120S1-E1 обеспечивает непрерывный ток SiC SBD с нулевым обратным восстановлением, низкие потери при переключении и низкое тепловое сопротивление корпуса.SemiQ Модуль питания GCMS040B120S1-E1 имеет низкий QRR при высоких температурах и может быть установлен непосредственно на теплоотвод в изолированном корпусе.
Технические характеристики
Тип FET: N-канальный
Технология: SiC (транзистор с переходом из карбида кремния)
Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
Ток при 25°C - непрерывный сток (Id): 57A (Tc)
Напряжение питания (максимальное Rds On, минимальное Rds On): 20 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 52 мОм @ 40A, 20V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 4 В @ 10 мА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при различном Vgs: 124 нК @ 20 В
Vgs (макс.): +25 В, -10 В
Входная емкость (Ciss) при различных Vds (макс.): 3110 пФ @ 1000 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 242 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа: монтаж на шасси
Корпус устройства: SOT-227
Упаковка/корпус: SOT-227-4, miniBLOC
Области применения
Фотоэлектрические инверторы
Зарядные устройства
Источники питания для серверов
Системы хранения энергии
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
Модуль
3000
1200 В, 300 мОм, модуль полумоста MOSFET EasyDUAL™ 2B CoolSiC™
INFINEON
Модуль
3000
1200 В, 200 мОм, модуль полумоста MOSFET EasyDUAL™ 2B CoolSiC™
INFINEON
Модуль
3000
1200 В, 150 мОм, модуль полумоста MOSFET EasyDUAL™ 2B CoolSiC™
INFINEON
Модуль
3000
2000 В, 6 мОм, EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль
INFINEON
Модуль
3000
Карбидокремниевые MOSFET-модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module
INFINEON
Модуль
3000
Карбидокремниевые MOSFET-модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
SemiQ проектирует, разрабатывает и производит силовые полупроводники из карбида кремния (SiC), а также 150-мм эпитаксиальные пластины SiC. Диоды…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ выпускает новый модуль QSiC 1200V SOT-227 SiC, который повышает энергетические стандарты. GCMX020B120S1 — E1 1200V, 113A superэффективными модулями, поддержив…GCMX005A120S7B1
Модуль полумоста gcmm005a120s7b1 1200V SiC MOSFET обладает недостатками переключателей, низкой тепловой резистентностью корпуса и очень прочными и ле…GCMX010A120B3B1P
SemiQ выпускает высокопроизводительный модуль питания QSiC с полумостовой инкапсуляцией, новый 1200V SiC MOSFET обеспечивает надежную и эффективну…GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P — с половин 1200V инкапсуляц мост, 383A высокопроизводительн QSiC ™ питан модул. Новый модуль SemiQ 1200V SiC MOSFET обеспечивает надежную и эффе…GCMX020A120B2B1P
GCMX 02020a120b1p — высокопроизводительный модуль питания SiC, оснащённый двухступенчатым мостом с двумя N-каналами. Модуль SiC MOSFET обеспечивает на…GCMX010A120B2B1P
SemiQ выпускает высокопроизводительный модуль питания QSiC, который включает в себя GCMX 1010a120b b2b1p 1200V и 214A MOSFET mosfet. Эти новые модули 1200V SiC MOSFET обе…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: