sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:GCMX040B120S1-E1
бренд:SemiQ
год выпуска:24+
пакет:SOT-227-4
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
Модуль питания GCMX040B120S1-E1 1200V SiC COPACK оснащен высокоскоростным переключаемым SiC MOSFET, который прост в управлении, очень прочен и легко устанавливается. Благодаря низким потерям на переключение и низкому тепловому сопротивлению корпуса, модуль питания SemiQ GCMX040B120S1-E1 имеет низкий QRR при повышенных температурах и допускает прямой монтаж на радиаторы в изолированных корпусах.
Параметры
Тип ТЭНа: N-канальный
Технология: SiC (транзистор с переходом из карбида кремния)
Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
Ток при 25°C - непрерывный сток (Id): 57A (Tc)
Напряжение питания (макс. Rds On, мин. Rds On): 20 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 52 мОм @ 40A, 20V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 4 В @ 10 мА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при различных Vgs: 121 nC @ 20 В
Vgs (макс.): +25 В, -10 В
Входная емкость (Ciss) при различных Vds (макс.): 3185 пФ @ 1000 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 242 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа: монтаж на шасси
Корпус устройства: SOT-227
Упаковка/корпус: SOT-227-4, miniBLOC
ПРИМЕНЕНИЯ
Фотоэлектрические инверторы
Зарядные устройства
Серверные источники питания
Системы хранения энергии
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
Модуль
3000
Карбидокремниевые MOSFET-модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module
INFINEON
Модуль
3000
Карбидокремниевые MOSFET-модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module
INFINEON
Модуль
2000
Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™
INFINEON
Модуль
2000
Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™
INFINEON
Модуль
2000
Модуль полумоста на МОП-транзисторах из карбида кремния CoolSiC™
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
SemiQ проектирует, разрабатывает и производит силовые полупроводники из карбида кремния (SiC), а также 150-мм эпитаксиальные пластины SiC. Диоды…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ выпускает новый модуль QSiC 1200V SOT-227 SiC, который повышает энергетические стандарты. GCMX020B120S1 — E1 1200V, 113A superэффективными модулями, поддержив…GCMX005A120S7B1
Модуль полумоста gcmm005a120s7b1 1200V SiC MOSFET обладает недостатками переключателей, низкой тепловой резистентностью корпуса и очень прочными и ле…GCMX010A120B3B1P
SemiQ выпускает высокопроизводительный модуль питания QSiC с полумостовой инкапсуляцией, новый 1200V SiC MOSFET обеспечивает надежную и эффективну…GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P — с половин 1200V инкапсуляц мост, 383A высокопроизводительн QSiC ™ питан модул. Новый модуль SemiQ 1200V SiC MOSFET обеспечивает надежную и эффе…GCMX020A120B2B1P
GCMX 02020a120b1p — высокопроизводительный модуль питания SiC, оснащённый двухступенчатым мостом с двумя N-каналами. Модуль SiC MOSFET обеспечивает на…GCMX010A120B2B1P
SemiQ выпускает высокопроизводительный модуль питания QSiC, который включает в себя GCMX 1010a120b b2b1p 1200V и 214A MOSFET mosfet. Эти новые модули 1200V SiC MOSFET обе…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: