sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:FF300R08W2P2B11A
Руководство по данным:FF300R08W2P2B11ABOMA1.pdf
бренд:INFINEON
год выпуска:21+
пакет:MODULE
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 100
FF300R08W2P2B11A — очень компактный и гибкий продукт для инверторных приложений в гибридных и электрических транспортных средствах. Этот автомобильный силовой модуль на 750 В для инверторных применений в гибридных и электрических транспортных средствах сочетает в себе IGBT EDT2 с гибким и экономичным EasyPACK™, созданным по технологии FIT, и встроенным NTC до 500 В / 230 А (среднеквадратичное значение) для конструкции инвертора ~50 кВт*.
свойства продукта
Тип Дискретные полупроводниковые изделия
Категория Транзистор - IGBT - Модуль
Производитель Infineon Technologies
Серия EasyPACK™
упаковочный лоток
Тип БТИЗ -
Сконфигурируйте 2 отдельно стоящих
Напряжение - пробой коллектор-эмиттер (максимум) 750 В
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 200 А
Мощность - не более 20 мВт
Vce(on) (максимум) при различных Vge, Ic 1,18 В при 15 В, 200 А
Ток - отсечка коллектора (максимум) 1 мА
Входная емкость (Cies) 53 нФ при 50 В при различных значениях Vce
входной стандарт
Термистор NTC Да
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (ТДж)
Тип крепления На пьедестале
Модуль упаковки/корпуса
Пакет устройств поставщика AG-EASY2B-3
Возможные применения
• Тяговый преобразователь
• Силовой агрегат электромобиля (EV)
• Коммерческая, строительная и сельскохозяйственная техника
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
Module
1000
750V, 820A используется для одностороннего охлаждения трехфазного модуля питания 6- пек
INFINEON
MODULE
2000
IGBT-модуль траншейного типа с отсечкой поля Трехфазные инверторы 820 A Модуль для монтажа на шасси
INFINEON
MODULE
2000
IGBT-модуль с отсечкой поля траншейного типа Трехфазный инвертор 750 В 450 A 1053 Вт Базовое крепление AG-HYBRIDD-1
INFINEON
Module
2000
IGBT модуль траншейный полевой инвертор трехфазный 820 A Модуль для установки на шасси
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: