sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Автомобильные IGBT- Модуль
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:Модуль
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 3000
FS03MR12A7MA2B: HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™ - компактный 1200В/310А B6 мостовой силовой модуль, оптимизированный для использования в инверторах всех уровней мощности
Обзор:
FS03MR12A7MA2B Этот силовой модуль оснащен автомобильным MOSFET 1200V второго поколения CoolSiC™, оптимизированным для применения в силовых агрегатах от среднего и премиального классов мощности до современных коммерческих, строительных и сельскохозяйственных машин.
FS03MR12A7MA2B Технические характеристики продукта:
Серия: HybridPACK™
Технология: карбид кремния (SiC)
Конфигурация: 6 N-канальных
Функция FET: карбид кремния (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В (1,2 кВ)
Ток при 25°C - непрерывный слив (Id): 310A
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 2,54 миллиома @ 310A, 18V
Vgs(th) при различных Id (max): 4.55V @ 120mA
Заряд затвора (Qg) при Vgs (max): 870nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) при Vds (макс.): 25900pF @ 750V
Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа: монтаж на шасси
Упаковка/корпус: модуль
FS03MR12A7MA2B Особенности продукта:
Кратковременная работа при Tvj,op = 200 °C
Направляющий элемент для монтажа печатной платы и охладителя
Материал карбид кремния
Низкий RDS(on)
Низкие потери при переключении
Tvj,op = 175°C
Изоляция до 4,2 кВ постоянного тока 1 с
Высокая плотность мощности
Задняя панель PinFin с прямым охлаждением
Встроенный термочувствительный диод
Технология контактов PressFIT
Компактный дизайн
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
Module
1000
750V, 820A используется для одностороннего охлаждения трехфазного модуля питания 6- пек
INFINEON
MODULE
2000
IGBT-модуль траншейного типа с отсечкой поля Трехфазные инверторы 820 A Модуль для монтажа на шасси
INFINEON
MODULE
2000
IGBT-модуль с отсечкой поля траншейного типа Трехфазный инвертор 750 В 450 A 1053 Вт Базовое крепление AG-HYBRIDD-1
INFINEON
Module
2000
IGBT модуль траншейный полевой инвертор трехфазный 820 A Модуль для установки на шасси
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26: Автомобильный MOSFET — 100 В, силовой транзистор OptiMOS™-T, PG-TO263-3Сведения о продукте:Модель: IPB35N10S3L-26Корпус: PG-TO263-3Тип: Автомобильны…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120 В, силовой MOSFET-транзистор OptiMOS™ 6, нормальный уровень, в 3-контактном корпусе DPAK.Описание:IPB133N12NM6 — это MOSFET стандартного уровня 120…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03: 60 В, OptiMOS™ -T2 Автомобильный MOSFET-транзистор, PG-TO263-3Технические характеристики IPB120N06S4-03:Тип продукта: MOSFET Технология: Si Тип монтаж…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 78 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 7 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: