sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:IMBG120R220M1H
Руководство по данным:IMBG120R220M1H.pdf
бренд:INFINEON
год выпуска:21+
пакет:TO-263-7
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
IMBG120R220M1H представляет собой полевой МОП-транзистор CoolSiC™ SiC 1200 В, 220 мОм в корпусе D2PAK-7L (TO-263-7) на основе передового траншейного процесса, оптимизированного для повышения производительности и надежности. Размещенный в улучшенном корпусе SMD на 1200 В, он сочетает в себе низкое энергопотребление технологии CoolSiC с технологией межсоединений .XT для максимальной эффективности и пассивного охлаждения в таких приложениях, как приводы двигателей, зарядные модули и промышленные источники питания.
Описание функции
Очень низкие коммутационные потери
Возможность короткого замыкания: 3 мкс
dV/dt полностью управляемый
Типичное пороговое напряжение затвора: VGS(th) = 4,5 В
Отличная устойчивость к паразитным включениям, возможность отключения при 0 В
Прочный корпус диода для жесткого переключения
Технология межсоединений .XT для лучших в своем классе тепловых характеристик
Пакет утечки и зазор > 6,1 мм
Контакт Sense для оптимизации характеристик переключения
Область применения
Источник бесперебойного питания (ИБП)
Быстрая зарядка электромобиля
Привод и управление промышленным двигателем
Решения для солнечной системы
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ Motor Class MOSFET 750 V G2 в верхней охлаждающей упаковке Q-DPAK, 16 мОм
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ Motor Class MOSFET 750 V G2 в пакете с верхним охлаждением Q-DPAK, 25 мОм
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ Motor Class MOSFET 750 V G2 в верхней охлаждающей упаковке Q-DPAK, 60 MΩ
INFINEON
TO-247-4
3000
1200V, 60mΩ, CoolSiC™ Карбидкремниевый MOSFET Транзистор, TO-247-4
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26: Автомобильный MOSFET — 100 В, силовой транзистор OptiMOS™-T, PG-TO263-3Сведения о продукте:Модель: IPB35N10S3L-26Корпус: PG-TO263-3Тип: Автомобильны…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120 В, силовой MOSFET-транзистор OptiMOS™ 6, нормальный уровень, в 3-контактном корпусе DPAK.Описание:IPB133N12NM6 — это MOSFET стандартного уровня 120…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03: 60 В, OptiMOS™ -T2 Автомобильный MOSFET-транзистор, PG-TO263-3Технические характеристики IPB120N06S4-03:Тип продукта: MOSFET Технология: Si Тип монтаж…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 78 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 7 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: