Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Автомобильная система-на-кристалле Безопасность и сертификация IC Балансер/привод/ретранслятор ИС интерфейса PCI PCIe Коммутатор Интерфейс - многопротокольный приемопередатчик Приемопередатчик линии электропередачи Петля с фазовой автоподстройкой - PLL Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Магнитные соединители Разъемы Ethernet Модульные разъемы Разъемы QSFP DD ​DIMM разъемы Кабельные узлы Модульные соединители Разъемный разъем Разъемы питания Разъем AI Разъем USB Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Радиочастотные разъемы Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния)

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

AI Ускоритель

Первая страница /Интегральная схема (ИС)/силовое устройство/Карбид кремния (SiC)/Модули SiC MOSFET

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

GCMX005A120B3B1P

GCMX005A120B3B1P

SemiQ

Produktbeschreibung:Полумост MOSFET-массив 1200V 383A был установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GCMX020A120B2B1P

GCMX020A120B2B1P

SemiQ

Produktbeschreibung:Полумост MOSFET-массив 1200V 102A (Tc) 385W (Tc) был установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GCMX010A120B2B1P

GCMX010A120B2B1P

SemiQ

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V 214A (Tc) 750W (Tc) был установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GCMX080A120B2H1P

GCMX080A120B2H1P

SemiQ

Produktbeschreibung:MOSFET - Массив 1200V 27A (Tc) 119W (Tc) Установка основания

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GCMX020A120B2H1P

GCMX020A120B2H1P

SemiQ

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V 102A (Tc) 333W (Tc) был установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GCMX040A120B2H1P

GCMX040A120B2H1P

SemiQ

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V 56A (Tc) 217W (Tc) был установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GCMX040A120B3H1P

GCMX040A120B3H1P

SemiQ

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V 53A (Tc) 208W (Tc) был установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GCMS040A120S1-E1

GCMS040A120S1-E1

SemiQ

Produktbeschreibung:1200V 40 м Ω SiC усилител пьедеста установ SOT - 227

пакет:SOT-227
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GCMS020B120S1-E1

GCMS020B120S1-E1

SemiQ

Produktbeschreibung:Монтаж основания N канал 1200 В 113A (Tc) 395W (Tc) SOT-227

пакет:SOT-227
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
GCMS020A120S1-E1

GCMS020A120S1-E1

SemiQ

Produktbeschreibung:Модуль SiC MOSFET/ SBD SOT-227 Copak 1200V 20 mohm

пакет:SOT-227
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSCDC50H1701AG

MSCDC50H1701AG

Microchip

Produktbeschreibung:Модули питания с полным мостом на SiC диодах

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSCSM120DUM16T3AG

MSCSM120DUM16T3AG

MSCSM120DUM16T3AG.pdf
Microchip

Produktbeschreibung:Модуль питания на SiC MOSFET с двойным общим источником

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSCMC120AM07CT6LIAG

MSCMC120AM07CT6LIAG

MSCMC120AM07CT6LIAG.pdf
Microchip

Produktbeschreibung:Силовой модуль на SiC MOSFET с очень низкой индуктивностью рассеяния в фазе

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSCSM170TLM15CAG

MSCSM170TLM15CAG

MSCSM170TLM15CAG.pdf
Microchip

Produktbeschreibung:Трехуровневый инверторный модуль питания на SiC MOSFET

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSCSM120HM31T3AG

MSCSM120HM31T3AG

MSCSM120HM31T3AG.pdf
Microchip

Produktbeschreibung:Массив мосфетов 1200В (1,2кВ) 89А (Тс) 395Вт (Тс) монтаж на шасси

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSCSM70TLM05CAG

MSCSM70TLM05CAG

MSCSM70TLM05CAG.pdf
Microchip

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 700В 464А (Тс) 1277Вт (Тс) монтаж на шасси SP6C

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 114 записи«Предыдущая страница123456...8Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler