sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:10 мОм SiC M2 MOSFET, 900 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1
пакет:ModuleProduktbeschreibung:Модуль MOSFET 10 mohm SiC M3S, 1200 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1
пакет:PIM-18Produktbeschreibung:Модуль MOSFET 8 MΩ SiC M3S, 1200 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1
пакет:PIM-18Produktbeschreibung:Модуль MOSFET 8 MΩ SiC M3S, 1200 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1
пакет:PIM-18Produktbeschreibung:1200V, HPD, 3-Phase Bridge + Drive Full Option Hybrid Drive mSiC ™ MOSFET Module
пакет:ModuleProduktbeschreibung:Модуль из карбида кремния (SiC) - 1200 В, 40 мОм, SiC MOSFET Module
пакет:PIM-22Produktbeschreibung:SiC усилител модул N проход 12 ви 55A (тис) 245W (тис) SOT - 227 (ISOTOP ®)
пакет:SOT-227Produktbeschreibung:Модуль SiC MOSFET 1200V 79A 310W был установлен
пакет:ModuleProduktbeschreibung:Модуль SiC MOSFET 700V 349A (Tc) 966W (Tc) установлен
пакет:ModuleProduktbeschreibung:Модуль питания на SiC MOSFET с фазовой ножкой 1200 В
пакет:SP1FProduktbeschreibung:1200 В модуль SiC MOSFET с полным мостом
пакет:SP3FProduktbeschreibung:Трехуровневый инверторный модуль SiC MOSFET на 1700 В
пакет:SP3FProduktbeschreibung:Трехуровневый инверторный модуль SiC MOSFET на 1200 В
пакет:SP3FProduktbeschreibung:Модуль питания на SiC MOSFET с фазовой ножкой 700 В
пакет:SP1FProduktbeschreibung:700 В модуль SiC MOSFET с полным мостом
пакет:SP3FProduktbeschreibung:Трехуровневый инверторный модуль SiC MOSFET на 700 В
пакет:SP3Fконтактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: