Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NXH010P90MNF1PG
ON

Produktbeschreibung:10 мОм SiC M2 MOSFET, 900 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH010P120M3F1PG
ON

Produktbeschreibung:Модуль MOSFET 10 mohm SiC M3S, 1200 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1

пакет:PIM-18
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH008P120M3F1PG
ON

Produktbeschreibung:Модуль MOSFET 8 MΩ SiC M3S, 1200 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1

пакет:PIM-18
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH008P120M3F1PTG
ON

Produktbeschreibung:Модуль MOSFET 8 MΩ SiC M3S, 1200 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1

пакет:PIM-18
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120X10CTYZBNMG

Produktbeschreibung:1200V, HPD, 3-Phase Bridge + Drive Full Option Hybrid Drive mSiC ™ MOSFET Module

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH040F120MNF1PG
ON

Produktbeschreibung:Модуль из карбида кремния (SiC) - 1200 В, 40 мОм, SiC MOSFET Module

пакет:PIM-22
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC40SM120JCU2

Produktbeschreibung:SiC усилител модул N проход 12 ви 55A (тис) 245W (тис) SOT - 227 (ISOTOP ®)

пакет:SOT-227
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120AM31TBL1NG

Produktbeschreibung:Модуль SiC MOSFET 1200V 79A 310W был установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM70HM05AG

Produktbeschreibung:Модуль SiC MOSFET 700V 349A (Tc) 966W (Tc) установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120AM50T1AG

Produktbeschreibung:Модуль питания на SiC MOSFET с фазовой ножкой 1200 В

пакет:SP1F
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120HM50T3AG

Produktbeschreibung:1200 В модуль SiC MOSFET с полным мостом

пакет:SP3F
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM170TLM45C3AG

Produktbeschreibung:Трехуровневый инверторный модуль SiC MOSFET на 1700 В

пакет:SP3F
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120TLM50C3AG

Produktbeschreibung:Трехуровневый инверторный модуль SiC MOSFET на 1200 В

пакет:SP3F
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM70AM19T1AG

Produktbeschreibung:Модуль питания на SiC MOSFET с фазовой ножкой 700 В

пакет:SP1F
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM70HM19T3AG

Produktbeschreibung:700 В модуль SiC MOSFET с полным мостом

пакет:SP3F
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM70TLM19C3AG

Produktbeschreibung:Трехуровневый инверторный модуль SiC MOSFET на 700 В

пакет:SP3F
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 120 записи«Предыдущая страница1234...8Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler