sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Модуль SiC MOSFET
бренд:IXYS
год выпуска:24+
пакет:SOT-227-4
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
IXFN50N120SIC - это N-канальный 1200V 47A SiC MOSFET модуль.
Технические характеристики
Тип: HiperFET
Технология: SiC
Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В
Стиль монтажа: Винтовое крепление
Упаковка/корпус: SOT-227-4
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 155 C
Конфигурация: Одиночный
Время спада: 19 нс
Id - непрерывный ток стока: 47 A
Количество каналов: 1 канал
Rds On - сопротивление сток-исток: 50 мОм
Время нарастания: 9 нс
Полярность транзисторов: N-канальный
Типовое время задержки выключения: 75 нс
Типовое время задержки включения: 23 нс
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1,2 кВ
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 В
Вес устройства: 59,703 г
Характеристики
Высокая скорость переключения при малых емкостях
Высокое блокирующее напряжение при низком RDS(on)
Простота параллельного включения и простота управления
Лавинная прочность
Устойчивость к защелке
Области применения
Солнечные инверторы
Высоковольтные DC/DC преобразователи
Приводы электродвигателей
Источники питания с переключаемым режимом работы
ИБП
Зарядные устройства
Индукционный нагрев
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
PIM-18
1000
Модуль MOSFET 10 mohm SiC M3S, 1200 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1
ON
PIM-18
1000
Модуль MOSFET 8 MΩ SiC M3S, 1200 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1
ON
PIM-18
1000
Модуль MOSFET 8 MΩ SiC M3S, 1200 В, топология полумоста 2-PACK, упаковка F1
Microchip
Module
1000
1200V, HPD, 3-Phase Bridge + Drive Full Option Hybrid Drive mSiC ™ MOSFET Module
Microchip
SOT-227
1000
SiC усилител модул N проход 12 ви 55A (тис) 245W (тис) SOT - 227 (ISOTOP ®)
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
IXYS со штаб-квартирой в Силиконовой долине, США, была основана в 1983 г. Основное направление деятельности: MOSFET, IGBT, тиристор, SCR, выпрямительн…
IXTP160N10T
IXTP160N10T Описание:Силовые МОП-транзисторы IXYS Gen1 с траншейным затвором идеально подходят для приложений с низким напряжением/высоким током…MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR - это N-канальный 1200-вольтовый SiC MOSFET модуль.Технические характеристикиПродукт: Модули силовых МОП-транзисторов Тип: Полумостово…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV — 25 в 29 а сер IGBT высок давлен, устройств принят собствен XPT ™ BoJing круг техническ и наибол передов IGBT технологическ исследован, сопро…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3 — среднечастотный IGBT, производимый с использованием технологии HDMOS IGBT для PT (пирсинга).600V GenX3 ™ направлен на ток прикладн оптимизир…IXBK55N300
IXBK55N300 — семейство IGBT, разработанное компанией ixbk55n300 для производства сверхвысокого напряжения.BiMOSFET имеет преимущества в совместве с MOSFE…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - Силовые MOSFET-транзисторы класса X2 на 600 В, 160 мОм, 18 А с диодом FRED Co-PackКлючевые характеристики MOSFET- Низкие RDS(ON) и QG- Быстрое переключе…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: