Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

BSM600D12P4G103

Produktbeschreibung:Полный силовой модуль SiC с полумостовым траншеей MOS 1200V, 567A

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS350M12BM3

Produktbeschreibung:Модуль карбида кремния (SiC) 1200V 350A Монтаж основания, 62 мм, полумост

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS530M12BM3

Produktbeschreibung:Модуль карбида кремния (SiC) 1200V 530A Монтаж основания, 62 мм, полумост

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CHB011M12GM4

Produktbeschreibung:Модуль 1200 В, 11 мОм, GM, T, карбид кремния промышленного класса (SiC)

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB004M12GM4

Produktbeschreibung:1200 В, 4 мОм, GM, полумост, промышленный модуль карбида кремния (SiC)

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH004P120M3F2PNG
ON

Produktbeschreibung:Модуль SiC M3 MOSFET, 1200 В, 2 пакета топологии полумоста, пакет F2 с Si3N4 DBC

пакет:PIM-36
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L032N065M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (Sic) MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT025W120G3AG
ST

Produktbeschreibung:1200 В Мощность карбида кремния автомобильного класса MOSFET, 27 мОм, 56 А, HiP247

пакет:HiP247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH020P120MNF1PG
ON

Produktbeschreibung:Модули 1200 В 20 мОм из карбида кремния

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS310M17BM3

Produktbeschreibung:Полумостовой модуль на 1700 В 310 А из карбида кремния

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D1220KSD

Produktbeschreibung:Двухканальный диод Шоттки (MPS) с комбинированным штифтом SiC 20 A, 1200 V

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D06560KSD

Produktbeschreibung:Двухканальный диод Шоттки (MPS) с комбинированным штифтом SiC 60 A, 650 V

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D06520KSD

Produktbeschreibung:Двухканальный диод Шоттки (MPS) с комбинированным штифтом SiC 20 A, 650 V

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3D06530TS

Produktbeschreibung:Диод Шоттки (MPS) с комбинированным штифтом SiC 30 A, 650 V

пакет:TO-220-2
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL032N065M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L032N065M3S
ON

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 716 записи«Предыдущая страница1234...45Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler