Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Усилитель приборов Коммутаторы PCI Express Автомобильная система-на-кристалле Безопасность и сертификация IC Балансер/привод/ретранслятор ИС интерфейса PCI PCIe Коммутатор Интерфейс - многопротокольный приемопередатчик Приемопередатчик линии электропередачи Петля с фазовой автоподстройкой - PLL Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности Разъемы OCuLink Разъемы для соединения проводов с платой

Датчики

Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

AI Ускоритель

Первая страница /дискретный полупроводник/Транзистор - FET, MOSFET - Массив

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NTTFD021N08C

NTTFD021N08C

NTTFD021N08C.PDF
ON

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 80В 6A (Ta), 24A (Tc) 1.7W (Ta), 26W (Tc) поверхностный монтаж 12-WQFN (3.3x3.3)

пакет:12-WQFN
10 шт.
10
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXV08H350XT1

NXV08H350XT1

NXV08H350XT1.pdf
ON

Produktbeschreibung:Модуль MOSFET с двойным полумостом 80V через отверстие APM17-MDC

пакет:17-PowerDIP
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FTCO3V455A2

FTCO3V455A2

FTCO3V455A2.pdf
ON

Produktbeschreibung:Модуль MOSFET-массив 40V 150A 115W

пакет:MOD−19
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FTCO3V455A1

FTCO3V455A1

FTCO3V455A1.pdf
ON

Produktbeschreibung:Модуль MOSFET-массив 40V 150A 115W

пакет:APMCB-A19
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FF17MR12W1M1HP

FF17MR12W1M1HP

FF17MR12W1M1HP.pdf
INFINEON

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) для монтажа на шасси AG-EASY1B

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FF1MR12KM1H

FF1MR12KM1H

FF1MR12KM1H.pdf
INFINEON

Produktbeschreibung:62-мм модуль серии C с траншейными МОП-транзисторами CoolSiC™

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FF1MR12KM1HP

FF1MR12KM1HP

FF1MR12KM1HP.pdf
INFINEON

Produktbeschreibung:62-мм модуль серии C с траншейными МОП-транзисторами CoolSiC™ и предварительно покрытым

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FF4MR20KM1H

FF4MR20KM1H

FF4MR20KM1H.pdf
INFINEON

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 2000В (2кВ) 280А (Тс) монтаж на шасси AG-62MMHB

пакет:Module
10 шт.
0
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FF4MR20KM1HP

FF4MR20KM1HP

FF4MR20KM1HP.pdf
INFINEON

Produktbeschreibung:MOSFET - массив 2000В (2кВ) 280А (Тс) монтаж на шасси AG-62MMHB

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FF6MR12KM1HP

FF6MR12KM1HP

FF6MR12KM1HP.pdf
INFINEON

Produktbeschreibung:62-мм модуль полумоста 1200 В, 5,5 мОм с технологией CoolSiC™ MOSFET в известном 62-мм корпусе

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SH32N65DM6AG

SH32N65DM6AG

SH32N65DM6AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Массив мосфетов 650 В 32 А (Тс) 208 Вт (Тс) поверхностный монтаж 9-ACEPACK SMIT

пакет:9-PowerSMD
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SH63N65DM6AG

SH63N65DM6AG

SH63N65DM6AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Массив MOSFET 650В 53А (Тс) 424Вт (Тс) поверхностный монтаж

пакет:9-PowerSMD
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SH68N65DM6AG

SH68N65DM6AG

SH68N65DM6AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Массив MOSFET 650В 64А (Тс) 379Вт (Тс) поверхностный монтаж

пакет:9-PowerSMD
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSCSM170HRM11NG

MSCSM170HRM11NG

MSCSM170HRM11NG.pdf
Microchip

Produktbeschreibung:Силовой модуль на SiC MOSFET T-Type

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSCSM170HRM451AG

MSCSM170HRM451AG

MSCSM170HRM451AG.pdf
Microchip

Produktbeschreibung:Силовой модуль на SiC MOSFET T-Type

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MSCSM170DUM23T3AG

MSCSM170DUM23T3AG

MSCSM170DUM23T3AG.pdf
Microchip

Produktbeschreibung:Модуль питания на SiC MOSFET с двумя общими источниками питания

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 149 записи«Предыдущая страница1234567...10Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler