sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:FF4MR20KM1H
Руководство по данным:FF4MR20KM1H.pdf
бренд:INFINEON
год выпуска:23+
пакет:Module
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 0
FF4MR20KM1H 62 мм CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 2000 В, 3,5 мОм G1 в хорошо известном 62 мм корпусе и с технологией производства микросхем M1H. Имеется также предварительное покрытие из термоинтерфейсного материала (TIM).
Характеристики продукта
Технология: карбид кремния (SiC)
Конфигурация: 2 N-канала
Технология: карбид кремния (SiC)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 2000 В (2 кВ).
Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 280 А (Tc).
Коммутационное сопротивление (max) при различных Id, Vgs: 5,3 мОм при 300 А, 18 В.
Vgs(th) при различных Id (max): 5,15 В при 168 мА.
Заряд затвора (Qg) при Vgs max: 1170nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) при Vds max: 36100pF @ 1.2kV
Рабочая температура: -40°C ~ 175°C
Тип монтажа: на шасси
Упаковка/корпус: модуль
Источник питания в комплекте: AG-62MMHB
Области применения
● Системы хранения энергии
● Зарядка электромобилей
● Фотоэлектричество
● Тяга
● Источники бесперебойного питания (ИБП)
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ST
8-PowerVDFN
2000
Двухканальные N-канальные силовые MOSFET-транзисторы STripFET™ F7 автомобильного класса
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1700В (1,7кВ), 1200В (1,2кВ) 337А (Тс), 317А (Тс) 1,492кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200В (1,2кВ), 700В 472А (Тс), 442А (Тс) 1,846кВт (Тс), 1,161кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
10000
MOSFET - массивы 1700 В (1,7 кВ), 1200 В (1,2 кВ) 124 А (Тс), 89 А (Тс) 602 Вт (Тс), 395 Вт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1200В (1,2кВ), 700В 317А (Тс), 227А (Тс) 1,253кВт (Тс), 613Вт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1200 В (1,2 кВ), 700 В 89A (Tc), 124A (Tc) 395 Вт (Tc), 365 Вт (Tc) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 700V 52A (Tc), 110A (Tc) 141W (Tc), 292W (Tc) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 420 А (Тс) 1,753 кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 79A 310 Вт для установки на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 173 А (Тс) 745 Вт (Тс) Крепление на шасси
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…IPC100N04S5-1R9
IPC100N04S5-1R9 - это N-канальный повышающий MOSFET, разработанный для автомобильных приложений и входящий в серию OptiMOS™ 5 компании Infineon.IKW40N65H5
IKW40N65H5 Высокоскоростной 650 В, 40 А жестко переключаемый TRENCHSTOPTM IGBT5 совместно с быстрым диодом RAPID 1 с мягким обратным параллельным ходом в ко…IKA15N60T
IKA15N60T - это высокопроизводительный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), принадлежащий к семейству TRENCHSTOP™.IPW60R120P7
IPW60R120P7 - это 600-вольтовый МОП-транзистор с суперпереходом (SJ) CoolMOS™ P7.IKW75N65EH5
IKW75N65EH5 Высокоскоростной 650 В, жестко переключаемый IGBT TRENCHSTOP™ 5 упакован вместе с быстрым мягким антипараллельным диодом RAPID 1 в корпус TO-247 …контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: