Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Модуль усилителя мощности Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели Изолирующие усилители Контроллер цифрового дисплея Цифровой контроллер Аудиопроцессоры

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио Soc

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики - датчики освещенности, инфракрасные датчики, ультрафиолетовые датчики Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Оптические датчики - окружающее освещение Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Оптические датчики - Отражающие - Логический выход Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики

Память

Флэш-память NOR оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Встраиваемые и сетевые процессоры

Безопасные процессоры
Первая страница /Интегральная схема (ИС)/силовое устройство

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

FFSB10120A-F085

FFSB10120A-F085

FFSB10120A-F085.PDF
ON

Produktbeschreibung:Автомобильные карбидкремниевые (SiC) диоды Шоттки, 1200 В

пакет:TO-263
10 шт.
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT1000N170AG

SCT1000N170AG

SCT1000N170AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Канал SiCFET N канал 1700V 7A HIP247

пакет:TO-247-3
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT070HU120G3AG

SCT070HU120G3AG

SCT070HU120G3AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:SiCFET 1200 V 30A HU3PAK с обшивкой поверхности

пакет:HU3PAK
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT070H120G3AG

SCT070H120G3AG

SCT070H120G3AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Прикрепл к поверхн SiCFET тип 1200V 30A 63m Ω H2PAK - 7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT040HU65G3AG

SCT040HU65G3AG

SCT040HU65G3AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Поверхностный пролив N, 650 V 30A 221W HU3PAK

пакет:HU3PAK
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT040H65G3AG

SCT040H65G3AG

SCT040H65G3AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Поверхностная пластинка N-канала 650V 30A 221W H2PAK-7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT040H120G3AG

SCT040H120G3AG

SCT040H120G3AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Автомобиль класса SiCFET 1200V, 40A H2PAK-7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT020H120G3AG

SCT020H120G3AG

SCT020H120G3AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Автомобиль класса SiCFET 1200V, 100A H2PAK-7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT018H65G3AG

SCT018H65G3AG

SCT018H65G3AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Автомобиль класса SiCFET 650V, 55A H2PAK-7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT011H75G3AG

SCT011H75G3AG

SCT011H75G3AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Автомобиль класса SiCFET 750V 110A H2PAK-7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT012H90G3AG

SCT012H90G3AG

SCT012H90G3AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Автомобиль класса SiCFET 900V 110A H2PAK-7

пакет:H2PAK-7
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCTWA70N120G2V

SCTWA70N120G2V

SCTWA70N120G2V.pdf
ST

Produktbeschreibung:Мощность карбида кремния MOSFET 1200V, 91A HiP247

пакет:HIP247
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
SCT040W120G3AG

SCT040W120G3AG

SCT040W120G3AG.pdf
ST

Produktbeschreibung:Мощность карбида кремния класса MOSFET 1200V 40A HIP247

пакет:HIP247
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FS820R08A6P2B

FS820R08A6P2B

FS820R08A6P2B.pdf
INFINEON

Produktbeschreibung:IGBT-модуль траншейный полевой инвертор 750В 450А 714Вт монтаж на шасси

пакет:Module
10 шт.
4000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
AIMBG120R120M1

AIMBG120R120M1

INFINEON

Produktbeschreibung:Мосфеты SiC серии 1200 В для автомобильной промышленности

пакет:TO-263-7
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
AIMBG120R010M1

AIMBG120R010M1

INFINEON

Produktbeschreibung:Мосфеты SiC серии 1200 В для автомобильной промышленности

пакет:TO-263-7
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 1630 записи«Предыдущая страница1... 949596979899100101102Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler