Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Модуль усилителя мощности Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели Изолирующие усилители Контроллер цифрового дисплея Цифровой контроллер Аудиопроцессоры

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио Soc

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики - датчики освещенности, инфракрасные датчики, ультрафиолетовые датчики Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Оптические датчики - окружающее освещение Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Оптические датчики - Отражающие - Логический выход Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики

Память

Флэш-память NOR оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Встраиваемые и сетевые процессоры

Безопасные процессоры
Первая страница /Интегральная схема (ИС)/силовое устройство

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

FGH40T120SMD

FGH40T120SMD

FGH40T120SMD.PDF
ON

Produktbeschreibung:IGBT траншейного типа с полевым отключением 1200 В 80 А 555 Вт со сквозным отверстием TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FGH40N60SFDTU

FGH40N60SFDTU

FGH40N60SFDTU.pdf
ON

Produktbeschreibung:Отсечка поля IGBT 600 В 80 А 290 Вт Сквозное отверстие TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FGY40T120SMD

FGY40T120SMD

FGY40T120SMD.pdf
ON

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 1200 В 80 А 882 Вт Сквозное отверстие TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NGTB45N60S2WG

NGTB45N60S2WG

NGTB45N60S2WG.pdf
ON

Produktbeschreibung:IGBT с полевым затвором 600 В 45 А со сквозным отверстием

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NGTB30N120L2WG

NGTB30N120L2WG

NGTB30N120L2WG.pdf
ON

Produktbeschreibung:IGBT с полевым затвором 1200 В 60 А 534 Вт Сквозное отверстие

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NGTB25N120FL2WG

NGTB25N120FL2WG

NGTB25N120FL2WG.pdf
ON

Produktbeschreibung:IGBT с полевым затвором 1200 В 50 А 385 Вт Сквозное отверстие

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH010P120MNF1PG

NXH010P120MNF1PG

NXH010P120MNF1PG.pdf
ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V (1,2 кв) 114A (Tc) 250W (Tj) был установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH008T120M3F2PTHG

NXH008T120M3F2PTHG

NXH008T120M3F2PTHG.pdf
ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V 129A (Tc) 371W (Tc) был установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH004P120M3F2PTNG

NXH004P120M3F2PTNG

NXH004P120M3F2PTNG.pdf
ON

Produktbeschreibung:MOSFET — установка пьедестала 1200V 338A (Tc) 1098W (Tc)

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH004P120M3F2PTHG

NXH004P120M3F2PTHG

NXH004P120M3F2PTHG.pdf
ON

Produktbeschreibung:MOSFET — установка пьедестала 1200V 284A (Tc) 785W (Tc)

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH003P120M3F2PTNG

NXH003P120M3F2PTNG

NXH003P120M3F2PTNG.pdf
ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V 3mOhm 2, полумостовая топология, F2

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH003P120M3F2PTHG

NXH003P120M3F2PTHG

NXH003P120M3F2PTHG.pdf
ON

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 1200V 350A (Tc) 979W (Tc) был установлен

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH600B100H4Q2F2S1G

NXH600B100H4Q2F2S1G

NXH600B100H4Q2F2S1G.pdf
ON

Produktbeschreibung:Инвертор уровня 1000 V 192 A 511 W, установленный в третьем ярусе модуля IGBT

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH600B100H4Q2F2PG

NXH600B100H4Q2F2PG

NXH600B100H4Q2F2PG.pdf
ON

Produktbeschreibung:Поле борозды модуля IGBT имеет предельный уровень антифаз на третьем уровне: 1000 V 192 A 511 W

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH600B100H4Q2F2SG

NXH600B100H4Q2F2SG

NXH600B100H4Q2F2SG.pdf
ON

Produktbeschreibung:Поле борозды модуля IGBT имеет предельный уровень антифаз на третьем уровне: 1000 V 192 A 511 W

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH240B120H3Q1P1G

NXH240B120H3Q1P1G

NXH240B120H3Q1P1G.pdf
ON

Produktbeschreibung:Три предельных поля для канального поля модуля IGBT, с двойным источником 1200 V 68 A 158 W

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 214 записи«Предыдущая страница123456...14Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler