sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:AIMBG120R080M1
бренд:INFINEON
год выпуска:23+
пакет:TO-263-7
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
Семейство мосфетов AIMBG120R080M1 1200V SiC Mosfet for Automotive было разработано для нынешних и будущих бортовых зарядных устройств и DC-DC приложений в гибридных и электрических автомобилях.
Созданные на основе передовой технологии траншей SiC компании Infineon в сочетании с технологией межсоединений .XT, карбидокремниевые мосфеты специально разработаны для удовлетворения высоких требований, предъявляемых автомобильной промышленностью к надежности, качеству и производительности.
Уникальные характеристики, такие как самый низкий уровень заряда затвора и емкости прибора, наблюдаемый в переключателях на 1200 В, отсутствие потерь на обратное восстановление внутреннего диода корпуса, устойчивого к коммутации, низкие потери на переключение в зависимости от температуры и беспороговые характеристики включения гарантируют отсутствие суеты при проектировании и простоту управления.
Компактный SMD-корпус D²PAK (PG-TO263-7) обеспечивает высокую степень автоматизации на производстве заказчика и дополнительно снижает стоимость на уровне системы.
Краткое описание характеристик
Революционный полупроводниковый материал - карбид кремния
Очень низкие потери на переключение
Беспороговая характеристика состояния
Напряжение на затворе 0 В
Эталонное пороговое напряжение затвора, VGS(th)=4.5В
Полностью управляемый dv/dt
Устойчивый к коммутации корпусной диод, готовый к синхронному выпрямлению
Потери на переключение при выключении не зависят от температуры
Чувствительный вывод для оптимизации характеристик переключения
Подходит для требований к ползучести при высоком напряжении
Технология межсоединений XT для лучших в своем классе тепловых характеристик
Преимущества
Повышение эффективности
Обеспечение более высокой частоты
Повышенная плотность мощности
Снижение трудозатрат на охлаждение
Снижение сложности и стоимости системы
Потенциальные применения
Бортовое зарядное устройство
DC-DC конвертер
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 V/116 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 19 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/78 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 30 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/61 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 40 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/44 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 60 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 V/34 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 80 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/24 A Q-DPAK (HDSOP-22-3), 117 м
INFINEON
PG-HDSOP-22
3000
CoolSiC ™ MOSFET для автомобилей в упаковке 1200 В/18,6 А Q-DPAK (HDSOP-22-3), 160 м
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: