sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Транзистор IGBT
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:TO-247-3
срок поставки:Новый и оригинальный
количество запасов: 8000
IKW40N65H5 Высокоскоростной 650 В, 40 А жестко переключаемый TRENCHSTOPTM IGBT5 совместно с быстрым диодом RAPID 1 с мягким обратным параллельным ходом в корпусе TO-247 определяется как «лучший в классе» IGBT.
Характеристики и преимущества
Высокоскоростная технология H5 обеспечивает
Высочайшую эффективность в топологиях с жесткой коммутацией и резонансных топологиях
Вставная замена IGBT предыдущего поколения
Напряжение пробоя 650 В
Низкий порог заряда QG
IGBT в корпусах RAPID1 с быстрым и мягким параллельным диодом
Максимальная температура спая 175°C
Сертифицированы JEDEC для целевых применений
Бессвинцовое покрытие; соответствие RoHS
Технические характеристики продукта
Категория изделия: биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Технология: Si
Упаковка / корпус: TO-247-3
Стиль монтажа: сквозное отверстие
Конфигурация: одиночный
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер VCEO: 650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 В
Максимальное напряжение затвор/эмиттер: - 20 В, 20 В
Непрерывный ток коллектора при 25 C: 74 A
Рассеиваемая мощность Pd: 250 Вт
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Серия: TRENCHSTOP 5 H5
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 нА
Торговое название: TRENCHSTOP
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
Преобразователи солнечной энергии
Источники бесперебойного питания
Сварочные преобразователи
Средне- и высокочастотные импульсные инверторы
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ST
D2PAK
5000
Полевой транзистор 650 В, 30 А с низкими потерями серии M в корпусе D²PAK
ROHM
TO-247N-3
5000
1200 В, 40 А, полевой IGBT-транзистор с канальным затвором, TO-247N-3
IXYS
TO-220-3
5000
650 В, авроральный передающий IGBT-транзистор для переключения 20-60 кГц, TO-220-3
IXYS
TO-247-3
5000
900 В, 165 А, высокоскоростной IGBT-транзистор для переключения 20-50 кГц, TO-247-3
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26: Автомобильный MOSFET — 100 В, силовой транзистор OptiMOS™-T, PG-TO263-3Сведения о продукте:Модель: IPB35N10S3L-26Корпус: PG-TO263-3Тип: Автомобильны…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120 В, силовой MOSFET-транзистор OptiMOS™ 6, нормальный уровень, в 3-контактном корпусе DPAK.Описание:IPB133N12NM6 — это MOSFET стандартного уровня 120…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03: 60 В, OptiMOS™ -T2 Автомобильный MOSFET-транзистор, PG-TO263-3Технические характеристики IPB120N06S4-03:Тип продукта: MOSFET Технология: Si Тип монтаж…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 78 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC™ MOSFET дискретный 1200 В, 7 мОм G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением, специально разработанном для широкого использования в пром…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: