sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:TW083N65C,S1F
Руководство по данным:TW083N65C,S1F.pdf
бренд:TOSHIBA
год выпуска:23+
пакет:TO-247-3
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 3000
650V tw0883n65c,S1F третьего поколения кремния MOSFET, разработанный специально для ввода 400V-переменного тока в промышленный эквивалент мощности AC-DC. Другие приложения включают фотоэлектрический инвертор (PV) и двусторонний преобразователь постоянного тока, используемый для непрерывного питания (UPS). Эти мосфеты помогают снизить энергопотребление и увеличить плотность энергии. Это происходит из-за технологии карбида кремния (SiC), которая позволяет приборам обеспечивать более высокое напряжение, более быстрые переключатели и более низкие электрические сопротивления.
Спецификация продукции:
Тип FET: канал N
Технология: SiCFET (карбид кремния)
Напряжение утечки (Vdss) : 650 V
25 ° C ток-утечк подряд очен (Id) : 30A (тис)
Приводное напряжение (максимальная Rds On, минимальная Rds On) : 18V
Различные Id, Vgs-часовое сопротивление (максимум) : 113 миллиoo@15a, 18V
Различн Id Vgs когд (th) (максимум) : 5 @ 600 МКМ а
Различные заряды сетки Vgs-часов (Qg) (максимум) : 28 nC @18 V
Vgs (максимум) : +25V, минус 10V
* ёмкость входного конденсатора (Ciss) (максимум) : 873 pF @400 V
Функция FET
Максимальная потеря мощности: 111W (Tc)
Рабоч температур: 175 ° C
Тип установки: сквозное отверстие
Инкапсуляция оборудования поставщика: TO-247
Инкапсуляция/оболочка: TO-247-3
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
TO-247-3
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L
ON
TO-247-4
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
TOSHIBA (Toshiba), крупнейший производитель полупроводников в Японии, второй по величине интегрированный производитель двигателей, входит в сос…
TW140Z120C
TW140Z120C представляет собой карбид кремния MOSFET третьего поколения 20A, 1200V в упаковке TO-247-4, предназначенный для мощных промышленных применен…TW060Z120C
TW060Z120C представляет собой карбид кремния MOSFET третьего поколения 36A, 1200V в упаковке TO-247-4.спецификацТип FET: канал NсикИсточник напряжения уте…TW045Z120C
TW045Z120C — 40A, 1200V, третье поколение карбида кремния MOSFETТип FET: канал NсикИсточник напряжения утечки (Vdss) : 1200 V25 C ток-утечк подряд очен (Id) : 40A (ти…TW015Z120C
TW015Z120C — прибор, разработанный для крупномасштабного применения в промышленности карбида кремния в третьем поколении, таких как 400V и 800V д…TW015Z65C
TW015Z65C — карбид кремния третьего поколения с высоким напряжением, быстрыми переключателями и более низким электрическим сопротивлением. …TW027Z65C
Устройство TW027Z65C () — карбид кремния третьего поколения с высоким напряжением, быстрыми переключателями и более низким электрическим соп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: