sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:TW015N65C,S1F
Руководство по данным:TW015N65C,S1F.pdf
бренд:TOSHIBA
год выпуска:23+
пакет:TO-247-
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 3000
TW015N65C,S1F — прибор, разработанный компанией 650V для производства карбида кремния MOSFET третьего поколения. Технология карбида кремния (SiC) позволяет приборам обеспечивать более высокое напряжение, более быстрые переключатели и более низкие проводящие резисторы. Кром тог входн конденсаторн (CISS) 4850pF (типичн сто), низк сеточн входн заряд (Qg) 128 nC (типичн показател) и утечк-источник очен-говор сопротивлен (RDS (ON)) тольк 21 м Ω (типичн показател).
Спецификация продукции:
Тип FET: канал N
Технология: SiCFET (карбид кремния)
Напряжение утечки (Vdss) : 650 V
25 ° C ток-утечк подряд очен (Id) : 100A (тис)
Приводное напряжение (максимальная Rds On, минимальная Rds On) : 18V
Различные Id, Vgs-часовое сопротивление (максимум) : 21 миллиoo@50a, 18V
Различные Id-часы Vgs(th) (максимум) : 5V @11,7 mA
Различные заряды сетки Vgs-часов (Qg) (максимум) : 128 nC @18 V
Vgs (максимум) : +25V, минус 10V
Во время различных Vds-часов входная ёмкость (Ciss) (максимум) : 4850 pF @400 V
Функция FET
Максимальная потеря мощности: 342W (Tc)
Рабоч температур: 175 ° C
Тип установки: сквозное отверстие
Инкапсуляция оборудования поставщика: TO-247
Инкапсуляция/оболочка: TO-247-3
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
TO-263-7
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO-263-7
INFINEON
TO-263-7
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO-263-7
INFINEON
TO-263-7
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO-263-7
INFINEON
TO-263-7
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO-263-7
INFINEON
TO-247-3
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-3
INFINEON
TO-247-3
1000
CoolSiC™ 1200V, 20mΩ SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-3
INFINEON
TO-247-4
1000
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-4
INFINEON
TO-247-4
1000
CoolSiC™ 1200V, 7mΩ SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-4
INFINEON
TO-247-4
1000
CoolSiC™ 1200V, 20mΩ SiC Trench MOSFET транзисторы в корпусе TO247-4
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
TOSHIBA (Toshiba), крупнейший производитель полупроводников в Японии, второй по величине интегрированный производитель двигателей, входит в сос…
CTS521
Малогабаритные сигнальные барьерные диоды Шоттки CTS521, номиналы по напряжению и току для удовлетворения различных проектных требований.…XPQR3004PB
XPQR3004PB - кремниевые N-канальные МОП-транзисторы.Атрибуты изделияТип МОП-транзистора: N-канальныйТехнология: MOSFET (металл-оксид)Напряжение м…TK10A80E
МОП-транзисторы π-MOS VIII компании Toshiba представляют собой одноканальные N-канальные приборы с питанием от затвора 10 В, созданные по планарн…TW070J120B,S1Q
TW070J120B,S1Q, разработанный специально для использования регуляторов напряжения переключателя, MOSFET третьего поколения карбида кремнияСпеци…TW015N120C,S1F
Устройство MOSFET разработано TW015N120C,S1F N-каналом 1200V 100A (встроенный SiC-shutki-барьер)Спецификация продукции:Тип FET: канал NТехнология: SiCFET (карбид …TW140N120C,S1F
TW140N120C,S1F(1200V) третье поколение (встроенный SiC-шатецкий диод барьера)MOSFET (MOSFET) помогает снизить энергопотребление и увеличить плотность мощ…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: