sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:NTHL080N120SC1A
Руководство по данным:NTHL080N120SC1A.PDF
бренд:ON
год выпуска:23+
пакет:TO-247-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
N-канальные МОП-транзисторы NTHL080N120SC1A производства ON Semiconductor обладают лучшими характеристиками переключения и более высокой надежностью, чем кремниевые приборы. МОП-транзисторы отличаются низким сопротивлением включения при компактном размере микросхемы, что обеспечивает низкую емкость и заряд затвора. МОП-транзисторы NTHL080N120SC1A обладают высокой эффективностью, высокой рабочей частотой, высокой плотностью мощности, низким уровнем электромагнитных помех и малыми размерами системы. Типичные приложения включают ИБП, DC/DC-преобразователи, повышающие инверторы, коррекцию коэффициента мощности (ККМ), зарядку фотоэлектрических (ФЭ) источников, солнечные инверторы, источники питания для серверов и сетевые источники питания.
Особенности
Высокая скорость переключения, низкая емкость
Сверхнизкий заряд затвора (QG(tot)): 56nC (типичный)
Низкая эффективная выходная емкость (COSS): 80пФ (типовая)
100% прохождение теста на индуктивное переключение без фиксации (UIL)
Номинальное напряжение источника питания (VDSS): 1200 В
Сопротивление стока-источника RDS (вкл.): 110мОм (при 20 В, макс.)
Ток стока (ID): 31A (макс.)
Применение
ИБП
DC/DC преобразователи
Асинхронные инверторы
Коррекция коэффициента мощности
Фотоэлектрическая зарядка
Солнечный инвертор
Сетевые источники питания
Серверные источники питания
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
TO-247-4
3000
Карбид кремния (Sic) MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
ST
HiP247-3
3000
1200 В Мощность карбида кремния автомобильного класса MOSFET, 27 мОм, 56 А, HiP247
ON
TO-247-3
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L
ON
TO-247-4
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NCP57302DSADJR4G
NCP57302DSADJR4G - это высокоточный регулятор прямого хода с очень низким уровнем разрядности (VLDO), низким минимальным входным напряжением и низк…NCP45770IMN24TWG
Устройство управления нагрузкой NCP45770IMN24TWG представляет собой оптимизированное по компонентам и площади решение для эффективной коммута…NVH4L032N065M3S
Nvh4l032n0665v MOSFET использует совершенно новые технологии, которые могут обеспечить превосходную мощность переключателя и более высокую надеж…NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET с сопротивлением 20 мОм 1200 В и термистор NTC в модуле F1.Характеристика NXH020P120MNF1PGПолумо…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL - это модуль Motion SPM 3, который обеспечивает полнофункциональную, высокопроизводительную выходную ступень инвертора для двигател…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 - это специализированный сопроцессор автомобильных изображений, способный реализовать гибкую платформу камеры с использова…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: