sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:NV6133A
Руководство по данным:NV6133A.pdf
бренд:Navitas
год выпуска:23+
пакет:QFN
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 5000
Описание продукта NV6133A
Эта силовая ИС GaNFast™ объединяет высокопроизводительный GaN FET в режиме eMode со встроенным драйвером затвора для беспрецедентно высокочастотной и высокоэффективной работы. В ней также реализована технология GaNSense™, которая позволяет в реальном времени точно определять напряжение, ток и температуру для дальнейшего повышения производительности и надежности, что невозможно при использовании дискретного GaN или дискретного кремниевого устройства. GaNSense™ также реализует защиту от короткого замыкания и перегрева для повышения надежности системы, а режим автоматического ожидания улучшает оптическую эффективность, микроэффективность и эффективность холостого хода. Эти GaN ИС сочетают в себе высочайшую помехозащищенность dV/dt, высокоскоростные встроенные драйверы и стандартные для отрасли низкопрофильные корпуса SMT QFN с низким индуктивным сопротивлением, что позволяет разработчикам реализовывать простые, быстрые и надежные решения. Технология GaN ИС компании navitas расширяет возможности традиционных топологий, таких как flyback, half-bridge, buck/boost, LLC и других резонансных преобразователей до очень высокой эффективности и низкого уровня ЭМИ для достижения частот выше МГц, достигая беспрецедентной плотности мощности при очень привлекательной стоимости.
Технические характеристики
7, 24 или 30 выводов
Диапазон напряжения питания от 9 В до 24 В
200 В/нс dV/dt иммунитет
800 В переходное напряжение
700 В непрерывного напряжения
Диапазон сопротивлений от 120мΩ до 450мΩ
работа на частоте 2 МГц
Диапазон времени нарастания от 6нс до 12нс
Диапазон времени спада от 3нс до 7нс
Диапазон максимального времени задержки распространения от 11нс до 25нс
2KV ESD рейтинг
Диапазон рабочих температур от -40°C до +125°C
Применение
Мобильные телефоны
Потребительские
Центры обработки данных
Возобновляемые источники энергии и солнечная энергия
Электромобили и электронная мобильность
Промышленные моторные приводы
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
NOVOSENSE
QFN
3000
Чип из нитрида галлия, переключатель GaN с внутренней интеграцией 650 В и полумостовой привод
Nexperia
CCPAK1212i
3000
Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N канал 650 V 58.5A (Tc) 250 W (Tc) CCPAK1212i
Nexperia
CCPAK1212
3000
Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 650 V 60A (Tc) 300 W (Tc) CCPAK1212
Nexperia
WLCSP-22
3000
Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N-канал 40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)
Nexperia
VQFN-7
3000
Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 150 V 100 A (Ta) 65 W (Ta) VQFN
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Компания Navitas Semiconductor, основанная в 2014 году, специализируется на разработке сверхэффективных полупроводниковых продуктов на основе нитр…
NV6115-RA
Микросхема NV6115-RA имеет сопротивление вывода 170 мОм, выдерживает напряжение 650 В, поддерживает частоту переключения 2 МГц, выпускается в ко…NV6117-RA
Эта силовая интегральная схема NV6117-RA GaNFast оптимизирована для высокочастотных топологий плавного переключения. Монолитная интеграция по…NV6132A-RA
NV6132A-RA В этой силовой ИС GaNFast™ интегрирован высокоэффективный eMode GaN FET со встроенным приводом затвора, что позволяет достичь беспрецедент…NV6152-RA
NV6152-RA В этой силовой ИС GaNFast™ интегрирован высокоэффективный eMode GaN FET со встроенным приводом затвора, что позволяет достичь беспрецедентн…NV6153-RA
В силовой ИС NV6153-RAGaNFast™ интегрирован высокоэффективный eMode GaN FET со встроенным приводом затвора, что позволяет добиться беспрецедентно вы…NV6158
В силовой ИС NV6158 GaNFast™ интегрирован высокоэффективный eMode GaN FET со встроенным приводом затвора, что позволяет добиться беспрецедентно выс…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: