sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:NV6117-RA
Руководство по данным:NV6117-RA.pdf
бренд:Navitas
год выпуска:23+
пакет:8-QFN
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
Эта силовая интегральная схема NV6117-RA GaNFast оптимизирована для высокочастотных топологий плавного переключения. Монолитная интеграция полевых транзисторов, драйверов и логики создает простой в использовании высокопроизводительный строительный блок "цифровой вход - выход", позволяющий разработчикам создавать самые быстрые, малогабаритные и эффективные в мире преобразователи мощности.
Высочайшая устойчивость к dV/dt, высокоскоростной встроенный драйвер и стандартный для отрасли низкопрофильный корпус SMT QFN размером 5 x 6 мм с низкой индуктивностью позволяют разработчикам использовать технологию Navitas GaN для создания простых, быстрых и надежных решений, обеспечивающих рекордную плотность мощности и эффективность.
Атрибуты продукта
Тип переключателя: общего назначения
Количество выходов: 1
Соотношение - вход:выход: 1:1
Конфигурация выхода: высокая или низкая сторона
Тип выхода: N-канальный
Интерфейс: ШИМ
Напряжение - нагрузка: 650 В
Напряжение - питание (Vcc/Vdd): 10В ~ 24В
Ток - выход (макс.): 12A
Сопротивление включения (типовое): 120 мОм
Тип входа: неинвертирующий
Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TC)
Тип монтажа: поверхностный монтаж
Комплект поставки: 8-QFN (5x6)
Упаковка/корпус: 8-PowerVDFN
Топология/применение
- AC-DC, DC-AC, DC-AC
- QR Flyback, PFC, AHB, Buck, Boost, Half Bridge, Full Bridge, LLC Resonant, Class D
- Беспроводное питание, солнечные микроинверторы, светодиодное освещение, SMPS для телевизоров, серверы, телекоммуникации
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
NOVOSENSE
QFN
3000
Чип из нитрида галлия, переключатель GaN с внутренней интеграцией 650 В и полумостовой привод
Nexperia
CCPAK1212i
3000
Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N канал 650 V 58.5A (Tc) 250 W (Tc) CCPAK1212i
Nexperia
CCPAK1212
3000
Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 650 V 60A (Tc) 300 W (Tc) CCPAK1212
Nexperia
WLCSP-22
3000
Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N-канал 40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)
Nexperia
VQFN-7
3000
Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 150 V 100 A (Ta) 65 W (Ta) VQFN
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Компания Navitas Semiconductor, основанная в 2014 году, специализируется на разработке сверхэффективных полупроводниковых продуктов на основе нитр…
NV6115-RA
Микросхема NV6115-RA имеет сопротивление вывода 170 мОм, выдерживает напряжение 650 В, поддерживает частоту переключения 2 МГц, выпускается в ко…NV6132A-RA
NV6132A-RA В этой силовой ИС GaNFast™ интегрирован высокоэффективный eMode GaN FET со встроенным приводом затвора, что позволяет достичь беспрецедент…NV6152-RA
NV6152-RA В этой силовой ИС GaNFast™ интегрирован высокоэффективный eMode GaN FET со встроенным приводом затвора, что позволяет достичь беспрецедентн…NV6153-RA
В силовой ИС NV6153-RAGaNFast™ интегрирован высокоэффективный eMode GaN FET со встроенным приводом затвора, что позволяет добиться беспрецедентно вы…NV6158
В силовой ИС NV6158 GaNFast™ интегрирован высокоэффективный eMode GaN FET со встроенным приводом затвора, что позволяет добиться беспрецедентно выс…NV6113-RA
Интегральная схема NV6113-RA предназначена для высокочастотных топологий плавного переключения. Монолитная интеграция полевых транзисторо…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: