sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:N-канальные силовые МОП-транзисторы
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:PG-WHSON-8
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1680
Силовой MOSFET IQDH88N06LM5SC имеет низкий RDS(on) 0,86 мОм и превосходное рассеивание тепла, что упрощает управление потерями мощности. Кроме того, рассеиваемая мощность в корпусе с двухсторонним охлаждением в пять раз выше по сравнению с корпусом с литьевым покрытием.
Особенности продукта (IQDH88N06LM5SC)
Современная кремниевая технология 60 В
Выдающийся FOM
Улучшенные тепловые характеристики
Сверхнизкие паразитные свойства
Максимальное соотношение чип/корпус
Технические характеристики (IQDH88N06LM5SC)
Производитель: Infineon
Категория продукта: MOSFET
Технология: Si
Стиль монтажа: SMD/SMT
Упаковка / корпус: PG-WHSON-8
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 В
Id-непрерывный ток стока: 447 A
Rds - сопротивление включения стока: 860 мкОм
Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.3 В
Qg - заряд затвора: 76 нК
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Pd- рассеиваемая мощность: 333 Вт
Режим работы канала: улучшенный
Конфигурация: одиночная
Время спада: 16 нс
Прямая проводимость - мин: 115 С
Тип изделия: МОП-транзисторы
Время нарастания: 8 нс
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типовое время задержки выключения: 53 нс
Типовое время задержки включения: 14 нс
Области применения (IQDH88N06LM5SC)
Низковольтный привод
Питание от батареи
Источники питания
Серверные источники питания
Вычислительные системы и хранилища данных
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
TO-247-3
2000
StrongIRFET ™ Мощность MOSFET, 100 В, в упаковке с длинным свинцом TO-247
ST
TO-247
12000
N-канальный 1500 В, 6 Ом (типичное значение), 2,5 А PowerMESH(TM) силовой MOSFET, корпус TO-247
INFINEON
PG-TO220-3
4000
Сквозной отверстие N-канал 800 В 4 А (Tc) 24 Вт (Tc) PG-TO220-3-31
INFINEON
PG-TO220-3
5000
CoolMOS® силовой транзистор, сквозной, N-канал, 650 В, 16 А (Tc), 34 Вт (Tc), PG-TO220-3-31
INFINEON
PG-TSDSON-8
5000
OptiMOS™3 силовой транзистор N-канальный 150 В 21 А (Tc) 57 Вт (Tc) PG-TSDSON-8
INFINEON
PG-TDSON-8
13100
Силовой MOSFET OptiMOS™ 5 80 В для телекоммуникационных приложений
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…IMDQ75R025M2H
IMDQ75R025M2H представляет собой MOSFET из карбида кремния CoolSiC ™ 750V G2 (Infineon), разработанный с высокой эффективностью, сильной защитой от паразитно…IMDQ75R007M2H
IMDQ75R007M2H (Infineon) представляет собой CoolSiC ™ MOSFET второго поколения, использующий технологию карбида кремния (SiC), основные характеристики кото…IMDQ75R060M2H
IMDQ75R060M2H (Infineon) представляет собой CoolSiC ™ MOSFET второго поколения 750 В в упаковке Q-DPAK с низким сопротивлением проводимости (60 мОм) и высокоэффе…IMDQ75R004M2H
IMDQ75R004M2H Power Device-это CoolSiC ™ MOSFET, выпущенный Infineon, технологический продукт из карбида кремния второго поколения, подходящий для высокоэффект…AIMDQ75R016M2H
AIMDQ75R016M2H представляет собой MOSFET из карбида кремния второго поколения (Infineon) с улучшенными характеристиками переключения, более низкими п…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: