sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:IGBT-транзистор
бренд:ON
год выпуска:24+
пакет:TO-247-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 3000
FGY140T120SWD (IGBT-транзистор): 1200 В, 140 А, полевой стоп VII (FS7) быстрый дискретный IGBT в силовом корпусе TO247-3L
Модель: FGY140T120SWD
Упаковка: TO-247-3
Тип: IGBT транзистор
Обзор:
FGY140T120SWD оснащен новой технологией полевого отсекателя IGBT 7-го поколения и диодами Gen7 в трехвыводном корпусе TP247, что обеспечивает оптимальную производительность и низкие потери на переключение и проводимость для эффективной работы в различных приложениях, включая солнечные батареи, ИБП и ESS.
FGY140T120SWD - Технические характеристики:
Тип IGBT: с полевой отсечкой
Напряжение - пробой коллектора (макс.): 1200 В
Ток - коллектор (Ic) (макс.): 280 A
Ток - коллекторный импульс (Icm): 560 A
Vce(on) при изменяющемся Vge, Ic (макс.): 2V @ 15V, 140A
Мощность - максимальная: 1150 Вт
Энергия переключения: 4,7 мДж (включено), 2,3 мДж (выключено)
Тип входа: стандартный
Заряд затвора: 415,4 нК
Значение Td (включение/выключение) при 25°C: 59,2нс/249,6нс
Условия испытаний: 600 В, 140 А, 4,7 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr): 307,3 нс
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа: сквозное отверстие
Упаковка/корпус: Вариант TO-247-3
Поставщик Корпус устройства: TO-247-3
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ROHM
TO-247N-3
2000
1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности
ROHM
TO-247N-3
2000
1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности
ROHM
TO-247-4
2000
1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности
ROHM
TO-247-4
2000
1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NXH040F120MNF1PG
NXH040F120MNF1PG: Модуль из карбида кремния (SiC) - 1200 В, 40 мОм, SiC MOSFET ModuleМодель: NXH040F120MNF1PGУпаковка: PIM-22Тип: Модуль из карбида кремния (SiC) - SiC MOSFET модуль…NVMJD010N10MCL
NVMJD010N10MCL (MOSFET-транзистор низкого/среднего напряжения): 100 В, 10 мОм, 62 А, 2N-канальный, автомобильный силовой MOSFET-транзисторМодель: NVMJD010N10MCLУпа…NVXK2VR40WXT2
NVXK2VR40WXT2: Карбид Кремния (SiC) Модуль - 1200 В трехфазный мостовой силовой модульНомер модели: NVXK2VR40WXT2Упаковка: APM-32Тип: Карбид Кремния (SiC) Модул…NVHL045N065SC1
NVHL045N065SC1: 650 В, 32 мОм, карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор, TO-247-3Модель: NVHL045N065SC1Корпус: TO-247-3Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзисторNVHL045N065SC1 - Техни…NVHL025N065SC1
NVHL025N065SC1: 650 В, 25 мОм, N-канальный - EliteSiC, карбид кремния (SiC) MOSFET транзисторМодель: NVHL025N065SC1Упаковка: TO-247-3Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор…FNB35060T6S
FNB35060T6S (модуль Motion SPM3): 600 В, 50 А, интеллектуальный силовой модуль (IPM), 3-фазный инвертор IGBTМодель: FNB35060T6SУпаковка: SPMQA-27Тип: Интеллектуальный …контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: