sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:N-канальные силовые МОП-транзисторы
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:PG-WHTFN-9
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
IQD063N15NM5CGSC OptiMOS Power MOSFET имеет низкий RDS (on) 6,32 мОм, а также отличные характеристики рассеивания тепла, что облегчает управление энергопотреблением.
Атрибуты продукции:
Виды продукции: MOSFET
Технология: Si
Стиль установки: SMD/SMT
Упаковка/упаковка: PG-WHTFN-9
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 чаннел
Напряжение пробивания источника утечки: 150 V
Ток непрерывного потока Id- 151 A
Сопротивление потока Rds On- утечка: 6.32 mOhms
Vgs-сетка-источник напряжения: 20 V, плюс 20 V
Пороговое напряжение Vgs th- решёточного источника: 4.6 V
Заряд сетки Qg- 48 nC
Температур работ: - 55 ° C до + 175 ° C
Диверсия мощности: 333 W
Режим канала: Enhancement
Название логотипа: OptiMOS
Характеристики:
Канал N, нормальный уровень
Минимальное электропроводящее сопротивление RDS(on)
Превосходная теплостойкость
Оптимизированный дизайн двойного охлаждения
100% тест на лавину
Неэтилированное свинцовое покрытие; Сертифицирован без свинца
Без галогенов, согласно стандарту IEC61249 221
Очень низкий возвратный заряд (Q)
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-TTFN-9
2500
Низковольтный силовой MOSFET OptiMOS™ 5 на 150 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate
INFINEON
PG-TSON-8
2500
Низковольтный силовой MOSFET OptiMOS™ 5 на 150 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down
ST
TO-247-4
3000
N канал 650 В, 39 мОм Типичное значение, 54 А MDmesh M9 Мощность MOSFET, TO-247-4
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 В CoolMOS™ S7T SJ MOSFET со встроенным датчиком температуры с использованием Q-DPAK TSC
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 В CoolMOS™ S7T SJ MOSFET со встроенным датчиком температуры с использованием Q-DPAK TSC
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: