sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:N-канальные силовые МОП-транзисторы
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:PG-TSON-8
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2500
IQE220N15NM5 относится к семейству Source-Down с RDS(on) 22 мОм. Технология Source-Down представляет собой перевернутую кремниевую матрицу, которая располагается внутри компонентов вверх ногами.
Это позволяет повысить тепловые характеристики, улучшить плотность мощности и возможности компоновки. Новая технология представлена в двух вариантах печатных плат Standard-Gate и Center-Gate (оптимизированной для распараллеливания).
Параметры устройства IQE220N15NM5:
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss): 150 V
Ток при 25°C - непрерывный слив (Id): 44A (Tc)
Напряжение питания (макс. Rds On, мин. Rds On): 10V
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 22 мОм @ 16A, 10V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 4,6 В @ 46 мкА
Заряд затвора (Qg) при Vgs (макс.): 18,3 нК при 10 В
Vgs (max): ±20V
Входная емкость (Ciss) при изменении Vds (макс.): 1400 пФ @ 75 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 2,5 Вт (Ta), 100 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Упаковка устройства: PG-TTFN-9-3
Упаковка/корпус: 9-PowerTDFN
Возможные применения
Приводы
SMPS
Сервер
Телекоммуникации
Управление батареями
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-TTFN-9
2500
Низковольтный силовой MOSFET OptiMOS™ 5 на 150 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate
ST
TO-247-4
3000
N канал 650 В, 39 мОм Типичное значение, 54 А MDmesh M9 Мощность MOSFET, TO-247-4
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 В CoolMOS™ S7T SJ MOSFET со встроенным датчиком температуры с использованием Q-DPAK TSC
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 В CoolMOS™ S7T SJ MOSFET со встроенным датчиком температуры с использованием Q-DPAK TSC
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: