sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:IDWD20G120C5XKSA1
Руководство по данным:IDWD20G120C5XKSA1.pdf
бренд:INFINEON
год выпуска:23+
пакет:TO-247-2
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 3000
IDWD20G120C5XKSA1 устройств 1200V перв пят поколен CoolSiC ™ шоттк диод, ег TO - 247 так 2 ног инкапсуляц, - замен сейчас универсальн да диод. Удовольств Прибор обладает наилучшей позитивным напряжением (VF) в своем продукте, минимальным по температуре VF и максимальной мощностью тока прилива. Продукция серии может обеспечить более эффективную и надежность ведущих рынков за привлекательные издержки.
Спецификация продукции:
Технология: SiC (карбид кремния) шотки
Напряжение — DC наоборот (Vr) (максимум) : 1200 V
Ток — среднее выпрямительное течение (ио) : 62A
В отличие от If-time-положительное (Vf) : 1.65 V @20 A
Скорость: время без восстановления > 500mA (ио)
Время обратного восстановления (TRR) : 0 нс
Различн ток-обратн утечк виртуальн реальност: 166 МКМ а @ 1200 в
Различные Vr, F-time ёмкость: 1368pF @1v, 1MHz
Тип установки: сквозное отверстие
Инкапсуляция/оболочка: TO-247-2
Упаковка оборудования поставщика: PG-TO247-2
Рабоч температур-был: - 55 ° C - 175 ° C
Номер базового продукта: IDWD20
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Microchip
TO-247-3
3000
700 В, 50 А диод Шоттки с барьером (SBD) из карбида кремния (SiC), TO-247-3
Microchip
TO-247-2
3000
700 В, 50 А диод Шоттки с барьером (SBD) из карбида кремния (SiC), TO-247-2
Microchip
TO-247-2
3000
Диоды с барьером Шоттки (SBD) на 700 В из карбида кремния (SiC), TO-247-2
Microchip
TO-247-2
3000
Диоды с барьером Шоттки (SBD) из карбида кремния (SiC), 700 В, 24 А, TO-247-2
Microchip
TO-247-2
3000
700 В 30 А диоды Шоттки с барьером из карбида кремния (SiC), TO-247-2
Microchip
TO-220-2
3000
700 В 30 А диоды Шоттки с барьером из карбида кремния (SiC), TO-220-2
Microchip
D3PAK
3000
Диоды с барьером Шоттки (SBD) из карбида кремния (SiC) на 700 В 60 А, D3PAK
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IM64A130A
IM64A130A: Аналоговый МЭМС-микрофон XENSIV™ - лучший вариант для автомобильных приложений средней производительностиОбзоры:IM64A130A - аналоговый М…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: