sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Диоды из карбида кремния
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:PG-TO247-4
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
IDYH10G200C5 CoolSiC™ диод Шоттки 2000 В, 10 А поколения 5 в корпусе TO-247PLUS-4 HCC обеспечивает повышение эффективности и упрощение конструкции в системах с высоким напряжением звена постоянного тока до 1500 В постоянного тока. Увеличенные расстояния ползучести 14 мм и зазора 5,4 мм в новом корпусе TO-247PLUS-4 HCC обеспечивают дополнительную безопасность в жестких условиях эксплуатации.
Диод обладает первоклассными тепловыми характеристиками благодаря технологии межсоединений .XT и высокой устойчивостью к влажности. Диод идеально сочетается с соответствующим ассортиментом CoolSiC™ MOSFET 2000 V.
Характеристики
VRRM = 2000 В
IF = 10 A
VF = 1,5 В
Отсутствие обратного тока восстановления
Отсутствие прямого восстановления
Высокая способность к импульсному току
Независимое от температуры поведение переключателя
Низкое прямое напряжение
Плотное распределение прямого напряжения
Специальная прочность при перепадах напряжения
Технология межсоединений .XT
Возможные применения
Струнный 3-фазный инвертор
Зарядка EV
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Microchip
TO-247-3
3000
700 В, 50 А диод Шоттки с барьером (SBD) из карбида кремния (SiC), TO-247-3
Microchip
TO-247-2
3000
700 В, 50 А диод Шоттки с барьером (SBD) из карбида кремния (SiC), TO-247-2
Microchip
TO-247-2
3000
Диоды с барьером Шоттки (SBD) на 700 В из карбида кремния (SiC), TO-247-2
Microchip
TO-247-2
3000
Диоды с барьером Шоттки (SBD) из карбида кремния (SiC), 700 В, 24 А, TO-247-2
Microchip
TO-247-2
3000
700 В 30 А диоды Шоттки с барьером из карбида кремния (SiC), TO-247-2
Microchip
TO-220-2
3000
700 В 30 А диоды Шоттки с барьером из карбида кремния (SiC), TO-220-2
Microchip
D3PAK
3000
Диоды с барьером Шоттки (SBD) из карбида кремния (SiC) на 700 В 60 А, D3PAK
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: