sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:N-канальные силовые MOSFET
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:PG-HDSOP-22
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
IPDQ60T022S7 - это 600-вольтовый МОП-транзистор CoolMOS™ S7T SJ со встроенным датчиком температуры и Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22) для повышения точности определения температуры спая.
Атрибуты изделия IPDQ60T022S7:
Производитель: Infineon
Категория продукта: МОП-транзисторы
Технология: Si
Стиль монтажа: SMD/SMT
Упаковка / корпус: HDSOP-22
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 В
Id-непрерывный ток стока: 90 A
Rds - сопротивление включения стока: 22 мОм
Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4,5 В
Qg - заряд затвора: 150 нК
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Pd - рассеиваемая мощность: 416 Вт
Канальный режим: улучшенный
Торговая марка: CoolMOS
Серия: S7T
Конфигурация: одиночная
Время простоя: 10 нс
Тип изделия: МОП-транзистор
Время нарастания: 6 нс
Количество в заводской упаковке: 750
Подкатегория: МОП-транзисторы
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 142 нс
Типовое время задержки включения: 30 нс
IPDQ60T022S7 Описание характеристик:
Оптимизированное соотношение цена/производительность
Предназначены для низкочастотного переключения
Уменьшенная паразитная индуктивность источника
Бесшовная диагностика
Точный и быстрый долгосрочный мониторинг
Высокие токовые возможности
Улучшенная защита
Оптимизированное использование тепловых устройств
Современный корпус с верхним охлаждением
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-TTFN-9
2500
Низковольтный силовой MOSFET OptiMOS™ 5 на 150 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate
INFINEON
PG-TSON-8
2500
Низковольтный силовой MOSFET OptiMOS™ 5 на 150 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down
ST
TO-247-4
3000
N канал 650 В, 39 мОм Типичное значение, 54 А MDmesh M9 Мощность MOSFET, TO-247-4
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 В CoolMOS™ S7T SJ MOSFET со встроенным датчиком температуры с использованием Q-DPAK TSC
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: