sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC)
бренд:ON
год выпуска:24+
пакет:TO-247-4
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 5000
Карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор ON Semiconductor NVH4L025N065SC1 обладает превосходными характеристиками переключения и более высокой надежностью, чем кремниевый. ON NVH4L025N065SC1 отличается низким сопротивлением включения при компактном размере корпуса, что обеспечивает низкую емкость и малый заряд затвора. К преимуществам системы относятся высокий КПД, высокая рабочая частота, высокая плотность мощности, низкий уровень электромагнитных помех и малые размеры системы.
Характеристики
- Типовой RDS(on) = 19 м при VGS = 18 В
- Типичный RDS(on) = 25 м при VGS = 15 В.
- Сверхнизкий заряд затвора (QG(tot) = 164 нК)
- Низкая емкость (Coss = 278 пФ)
Типовые применения
- Автомобильные бортовые зарядные устройства
- Бортовые DC/DC-преобразователи для электрических/гибридных транспортных средств
Атрибуты изделия NVH4L025N065SC1
Категория продукта: МОП-транзисторы
Технология: SiC
Стиль монтажа: сквозное отверстие
Упаковка / корпус: TO-247-4
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 650 В
Id-непрерывный ток стока: 99 A
Rds - сопротивление включения стока: 28,5 мОм
Vgs - напряжение затвор-исток: - 8 В, + 22 В
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4,3 В
Qg - заряд затвора: 164 нК
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Pd- рассеиваемая мощность: 348 Вт
Режим работы канала: улучшенный
Торговое название: EliteSiC
Серия: NVH4L025N065SC1
Конфигурация: одиночный
Время спада: 8 нс
Прямая транскондуктивность - мин: 27 S
Время нарастания: 19 нс
Типовое время задержки выключения: 32 нс
Типовое время задержки включения: 17 нс
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ROHM
TO-263-7
2000
Силовые транзисторы mosfet на основе карбида кремния n-канального типа
ROHM
TO-3PFM-3
2000
Силовые транзисторы mosfet на основе карбида кремния n-канального типа, 1700 в, 3.7 а
ROHM
TO-247-3
2000
Силовые транзисторы mosfet на основе карбида кремния n-канального типа, 650 в, 118 а
ST
HU3PAK-7
2000
750V 11.4m Ом автомобильный карбид кремния мощности MOSFET транзистор
Wolfspeed
TO-247-3
2000
N-канальные силовые МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы из карбида кремния
Wolfspeed
TO-247-3
2000
N-канальные силовые МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы из карбида кремния
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG - дифференциальный приемник тактовых сигналов и данных 1:2, принимающий входные сигналы AnyLevelTM: LVPECL, CML, LVCMOS, LVTTL или LVDS, которые преобра…AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD - это биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT), сертифицированный AEC Q101, с прочной и экономически эффективной структу…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW представляет собой одноканальный биполярный транзистор с изолированными воротами 1200V 25A (IGBT), который использует прочную и эконо…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD представляет собой биполярный транзистор с изолированными воротами 600 В (IGBT), который в основном используется в силовом электронн…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD представляет собой диод 7-го поколения, использующий новую технологию IGBT 7-го поколения с конечным полем и упаковку TO-247 4-lead. IGBT име…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E - это предварительный драйвер трехфазного бесщеточного двигателя постоянного тока (BLDC) от компании ON Semiconductor, предназначенный дл…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: