sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Карбидокремниевые МОП-транзисторы
бренд:ON
год выпуска:24+
пакет:TO-252-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 15000
МОП-транзисторы SUPERFET III - это новое семейство высоковольтных МОП-транзисторов с суперпереходом (SJ) от ON Semiconductor, в которых реализована технология балансировки заряда, обеспечивающая выдающиеся характеристики низкого сопротивления включения и низкого заряда затвора. Эта передовая технология минимизирует потери проводимости, обеспечивает превосходные характеристики переключения и выдерживает очень высокие значения dv/dt. В результате серия SUPERFET III FAST MOSFET позволяет свести к минимуму потери в различных системах электропитания и повысить эффективность системы.
Технические характеристики устройства NTD360N65S3H
Производитель: onsemi
Серия: SuperFET® III
Тип транзистора: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss): 650 В
Ток при 25°C - непрерывный слив (Id): 10A (Tc)
Напряжение питания (максимальное Rds On, минимальное Rds On): 10 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 360 мОм @ 5A, 10V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 4V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при различных Vgs: 17,5 нК @ 10 В
Vgs (max): ±30 В
Входная емкость (Ciss) при изменении Vds (макс.): 916 пФ @ 400 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 83 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа: поверхностный монтаж
Комплект поставки: TO-252 (DPAK)
Упаковка/корпус: TO-252-3, DPAK (2 вывода + наконечники), SC-63
Характеристики
- 700 В ПРИ TJ = 150 °C
- Типичный RDS(on) = 296 м
- Сверхнизкий заряд затвора (типовой Qg = 17,5 нК)
- Низкая эффективная выходная емкость (типовое значение Coss(eff.) = 180 пФ)
- 100% лавинные испытания
- Эти устройства не содержат свинца и соответствуют требованиям RoHS.
Области применения
- Источники питания для компьютеров/мониторов
- Источники питания для телекоммуникаций/серверов
- Промышленные источники питания
- Освещение/зарядные устройства/адаптеры
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ROHM
TO-263-7
2000
Силовые транзисторы mosfet на основе карбида кремния n-канального типа
ROHM
TO-3PFM-3
2000
Силовые транзисторы mosfet на основе карбида кремния n-канального типа, 1700 в, 3.7 а
ROHM
TO-247-3
2000
Силовые транзисторы mosfet на основе карбида кремния n-канального типа, 650 в, 118 а
ST
HU3PAK-7
2000
750V 11.4m Ом автомобильный карбид кремния мощности MOSFET транзистор
Wolfspeed
TO-247-3
2000
N-канальные силовые МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы из карбида кремния
Wolfspeed
TO-247-3
2000
N-канальные силовые МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы из карбида кремния
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG - дифференциальный приемник тактовых сигналов и данных 1:2, принимающий входные сигналы AnyLevelTM: LVPECL, CML, LVCMOS, LVTTL или LVDS, которые преобра…AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD - это биполярный транзистор с изолированными воротами (IGBT), сертифицированный AEC Q101, с прочной и экономически эффективной структу…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW представляет собой одноканальный биполярный транзистор с изолированными воротами 1200V 25A (IGBT), который использует прочную и эконо…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD представляет собой биполярный транзистор с изолированными воротами 600 В (IGBT), который в основном используется в силовом электронн…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD представляет собой диод 7-го поколения, использующий новую технологию IGBT 7-го поколения с конечным полем и упаковку TO-247 4-lead. IGBT име…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E - это предварительный драйвер трехфазного бесщеточного двигателя постоянного тока (BLDC) от компании ON Semiconductor, предназначенный дл…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: