sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Карбидокремниевые МОП-транзисторы
бренд:ON
год выпуска:24+
пакет:TO-252-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 15000
МОП-транзисторы SUPERFET III - это новое семейство высоковольтных МОП-транзисторов с суперпереходом (SJ) от ON Semiconductor, в которых реализована технология балансировки заряда, обеспечивающая выдающиеся характеристики низкого сопротивления включения и низкого заряда затвора. Эта передовая технология минимизирует потери проводимости, обеспечивает превосходные характеристики переключения и выдерживает очень высокие значения dv/dt. В результате серия SUPERFET III FAST MOSFET позволяет свести к минимуму потери в различных системах электропитания и повысить эффективность системы.
Технические характеристики устройства NTD360N65S3H
Производитель: onsemi
Серия: SuperFET® III
Тип транзистора: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss): 650 В
Ток при 25°C - непрерывный слив (Id): 10A (Tc)
Напряжение питания (максимальное Rds On, минимальное Rds On): 10 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 360 мОм @ 5A, 10V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 4V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при различных Vgs: 17,5 нК @ 10 В
Vgs (max): ±30 В
Входная емкость (Ciss) при изменении Vds (макс.): 916 пФ @ 400 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 83 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа: поверхностный монтаж
Комплект поставки: TO-252 (DPAK)
Упаковка/корпус: TO-252-3, DPAK (2 вывода + наконечники), SC-63
Характеристики
- 700 В ПРИ TJ = 150 °C
- Типичный RDS(on) = 296 м
- Сверхнизкий заряд затвора (типовой Qg = 17,5 нК)
- Низкая эффективная выходная емкость (типовое значение Coss(eff.) = 180 пФ)
- 100% лавинные испытания
- Эти устройства не содержат свинца и соответствуют требованиям RoHS.
Области применения
- Источники питания для компьютеров/мониторов
- Источники питания для телекоммуникаций/серверов
- Промышленные источники питания
- Освещение/зарядные устройства/адаптеры
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
TO-247-4
3000
Карбид кремния (Sic) MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
ST
HiP247-3
3000
1200 В Мощность карбида кремния автомобильного класса MOSFET, 27 мОм, 56 А, HiP247
ON
TO-247-3
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L
ON
TO-247-4
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
ON
D2PAK-7
3000
Карбид кремния (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NCP57302DSADJR4G
NCP57302DSADJR4G - это высокоточный регулятор прямого хода с очень низким уровнем разрядности (VLDO), низким минимальным входным напряжением и низк…NCP45770IMN24TWG
Устройство управления нагрузкой NCP45770IMN24TWG представляет собой оптимизированное по компонентам и площади решение для эффективной коммута…NVH4L032N065M3S
Nvh4l032n0665v MOSFET использует совершенно новые технологии, которые могут обеспечить превосходную мощность переключателя и более высокую надеж…NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET с сопротивлением 20 мОм 1200 В и термистор NTC в модуле F1.Характеристика NXH020P120MNF1PGПолумо…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL - это модуль Motion SPM 3, который обеспечивает полнофункциональную, высокопроизводительную выходную ступень инвертора для двигател…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 - это специализированный сопроцессор автомобильных изображений, способный реализовать гибкую платформу камеры с использова…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: