sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Силовые МОП-транзисторы
бренд:Nexperia
год выпуска:24+
пакет:LFPAK88
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 5000
PSMN2R3-100SSEJ отличаются чрезвычайно низким RDSon и улучшенными характеристиками безопасной рабочей зоны в высоконадежном корпусе LFPAK88 с медными зажимами.
PSMN2R3-100SSEJ дополняет новейшие контроллеры с «горячей заменой» - достаточно прочные, чтобы выдерживать большие пусковые токи при включении, с низким RDSon, минимизирующим потери I2R и обеспечивающим оптимальную эффективность при полном включении.
Атрибуты продукта
Тип ТЭНа: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss): 100 В
Ток при 25°C - непрерывный ток стока (Id): 255A (Tc)
Напряжение питания (максимальное Rds On, минимальное Rds On): 10 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 2,2 мОм @ 25A, 10V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 4 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs: 160 нК при 10 В
Vgs (макс.): ±20 В
Входная емкость (Ciss) при различных Vds (макс.): 17200 пФ @ 50 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 341 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа: поверхностный монтаж
Комплект поставки: LFPAK88 (SOT1235)
Области применения
Горячая замена
переключение нагрузки
плавный пуск
Электронные предохранители
Телекоммуникационные системы на базе 48 В объединительной платы/шины питания
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-TTFN-9
2500
Низковольтный силовой MOSFET OptiMOS™ 5 на 150 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate
INFINEON
PG-TSON-8
2500
Низковольтный силовой MOSFET OptiMOS™ 5 на 150 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down
INFINEON
PG-TDSON-8
2000
100 В, N-Ch, 28 мОм макс, автомобильный MOSFET, двойной SSO8 (5x6), OptiMOS™ 5
ST
TO-247-4
3000
N канал 650 В, 39 мОм Типичное значение, 54 А MDmesh M9 Мощность MOSFET, TO-247-4
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Ansys Semiconductor (China) Co. Nexperia - ведущий мировой производитель, специализирующийся на производстве дискретных приборов, логических устройств и М…
PSC2065JJ
SiC диоды Шоттки PSC2065JJ для сверхвысокой производительности, низких потерь и высокой эффективности преобразования энергии. SiC диод Шоттки, …PSC2065LQ
SiC диоды Шоттки PSC2065LQ для сверхвысокой производительности, низких потерь и высокой эффективности преобразования энергии. SiC диод Шоттки, …GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ — 650V, 33 m Ω нитрид галл (ид) фет, CCPAK1212i инкапсуляц сверточн, низк индуктивн, низк выключател потер и высок надёжност.Спецификация на…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP — 650 V 33m Ω нитрид галл (ид) фет, CCPAK1212 инкапсуляц. Устройство использует соединение без проводов, оптимизируемое экзотермическое и…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ двусторон ид фет — 40V, 4,8 m Ω двухсторон нитрид галл (ид) электрон подвижн транзистор (HEMT). GANB4R8-040CBA — обычный закрытый emode FET, имеющий …GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ нитрид галл (ид) фет — универсальн 150V, 3,9 m Ω нитрид галл (ид) фет. Ганее3r9 -150QBA — устройство, часто закрывающееся в электронных модел…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: