sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Карбидокремниевые МОП-транзисторы
бренд:Wolfspeed
год выпуска:24+
пакет:TOLL
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 12500
SiC MOSFET C3M™ C3M0045065L (в корпусе TOLL) имеет гораздо более низкую температурную зависимость сопротивления включения, чем стандартные кремниевые MOSFET. Этот МОП-транзистор обладает отличной скоростью переключения и низкими потерями во включенном состоянии, что очень важно для достижения высокой эффективности при высокой мощности для источников питания нового поколения.
Характеристики
- Технология SiC MOSFET третьего поколения
- Оптимизированный корпус с отдельными выводами источника питания
- Высокое блокирующее напряжение, низкое сопротивление включения
- Высокая скорость переключения, низкая емкость
- Быстрый собственный диод, низкое обратное восстановление (Qrr)
- Не содержит галогенов, соответствует требованиям RoHS
Норма
Производитель: Wolfspeed, Inc.
Серия: C3M™
Тип ТЭНа: N-канальный
Технология: SiCFET (карбид кремния)
Напряжение сток-исток (Vdss): 650 В
Ток при 25°C - непрерывный слив (Id): 49A (Tc)
Напряжение питания (максимальное Rds On, минимальное Rds On): 15 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 60 мОм @ 17.6A, 15V
Vgs(th) при различных Id (макс.) 3,6 В @ 4,84 мА
Заряд затвора (Qg) при Vgs (max): 59 nC @ 15 В
Vgs (max): +19 В, -8 В
Входная емкость (Ciss) при различных Vds (макс.): 1621 пФ @ 400 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 164 Вт (Tc)
Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа: поверхностный монтаж
Комплект поставки: TOLL
Области применения
- Источники питания для центров обработки данных
- Источники питания для телекоммуникаций
- Системы хранения энергии
- Солнечные (фотоэлектрические) инверторы
- Высоковольтные DC/DC преобразователи
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Компания Wolfspeed (NYSE: NYSE) является лидером на рынке в области глобального внедрения технологий карбида кремния и GaN. Портфель продукции комп…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T - 2300 В, 6 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CAB6…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T - 2300 В, 7,5 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CA…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T - 2300 В, 5 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CAB5…C3M0280090J
C3m02800000j — мосфит мощностью 900 V карбида кремния с широким электрическим расстоянием и расстоянием между утечкой и источником (~8 мм). Устрой…C3M0160120D
C3M0160120D основа на трет поколен графическ усилител технолог 12 ви, 160 м Ωm, 17 A карбид кремн усилител мощност, высок заблокирова напряжен, низк-…C3M0350120J
C3M0350120J основан на технологии MOSFET третьего поколения, мощностью 7,2 A карбида кремния с высоким блокирующим напряжением, низким электрическ…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: