sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:N-канальные МОП-транзисторы
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:PG-TO247-4
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
AIMZH120R010M1T Благодаря оптимизированной по производительности технологии производства микросхем Infineon (Gen1p), SiC-мозфеты обеспечивают лучшие в своем классе характеристики переключения, устойчивость к паразитному включению и улучшенные RDSon и Rth(j-c). Высокая плотность мощности, превосходный КПД, возможность двунаправленной зарядки и значительно более низкая стоимость системы делают их идеальными для автомобильных зарядных устройств и DCDC-приложений.
Характеристики продукта
Тип транзистора: N-канальный транзистор
Технология: SiC (транзистор с переходом из карбида кремния)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1200 В
Ток при 25°C - непрерывный ток стока (Id): 202A (Tc).
Напряжение питания (Max Rds On, Min Rds On): 18 В, 20 В: 18 В, 20 В.
Сопротивление включения при различных Id, Vgs (Max): 11,3 мОм @ 93A, 20V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 5,1 В @ 30 мА
Заряд затвора (Qg) при различных Vgs (max): 178 nK @ 20V
Максимальные значения Vgs: +23 В, -5 В
Входная емкость (Ciss) при различных Vds (макс.): 5703 пФ @ 800 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 750 Вт (Тс): 750 Вт (Тс).
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс: Автомобильный класс
Сертификация: AEC-Q101
Тип монтажа: сквозное отверстие
Комплект поставки: PG-TO247-4-11
Упаковка/корпус: TO-247-4
Применение
Бортовые зарядные устройства
DC/DC преобразователи
Вспомогательные драйверы
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
TO-247-3
2500
MOSFET - силовой, одиночный N-канальный, SUPERFET V, Easy Drive, TO247-3L 600 В, 99 м, 33 А
ON
TO-263-3
5000
MOSFET - N-канальный с экранированным затвором PowerTrench 150 В, 7,3 м, 101 А
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс., 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс., 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
Автомобильный N-канальный повышающий логический уровень 40 В, 0,75 мОм макс, 373 А Силовой MOSFET STripFET F8
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный силовой МОП-транзистор STripFET™ F7 на 100 В, 5 мОм, 107 А, в корпусе PowerFLAT™ 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный повышающий режим логического уровня 40 В, 0,8 мОм макс, 360 А, силовой МОП-транзистор STripFET F8
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: