sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:IGBT транзисторы
бренд:IXYS
год выпуска:24+
пакет:TO-220-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 15000
IXTP160N10T Описание:
Силовые МОП-транзисторы IXYS Gen1 с траншейным затвором идеально подходят для приложений с низким напряжением/высоким током, требующих чрезвычайно низкого RDS(ON), что приводит к очень низкой рассеиваемой мощности. Кроме того, они работают в широком диапазоне температур спая от -40°C до 175°C, что делает их хорошо подходящими для автомобильных приложений и других подобных применений в жестких условиях эксплуатации.
Атрибуты изделия IXTP160N10T:
Производитель: IXYS
Категория продукта: МОП-транзисторы
Стиль монтажа: сквозное отверстие
Упаковка / корпус: TO-220-3
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя стока-источника: 100 В
Id-непрерывный ток стока: 160 A
Rds-Сопротивление включения стока: 7 мОм
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Pd- рассеиваемая мощность: 430 Вт
Режим работы канала: улучшенный
Торговая марка: HiPerFET
Конфигурация: одиночная
Время простоя: 42 нс
Высота: 9,15 мм
Длина: 10,66 мм
Тип изделия: МОП-транзисторы
Время нарастания: 61 нс
Серия: IXTP160N10
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 49 нс
Типовое время задержки включения: 33 нс
Ширина: 4,83 мм
Вес устройства: 2 г
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
TO-247-3
2500
MOSFET - силовой, одиночный N-канальный, SUPERFET V, Easy Drive, TO247-3L 600 В, 99 м, 33 А
ON
TO-263-3
5000
MOSFET - N-канальный с экранированным затвором PowerTrench 150 В, 7,3 м, 101 А
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс., 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс., 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
IXYS со штаб-квартирой в Силиконовой долине, США, была основана в 1983 г. Основное направление деятельности: MOSFET, IGBT, тиристор, SCR, выпрямительн…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR - это N-канальный 1200-вольтовый SiC MOSFET модуль.Технические характеристикиПродукт: Модули силовых МОП-транзисторов Тип: Полумостово…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC - это N-канальный 1200V 47A SiC MOSFET модуль.Технические характеристикиТип: HiperFET Технология: SiC Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В Стиль…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV — 25 в 29 а сер IGBT высок давлен, устройств принят собствен XPT ™ BoJing круг техническ и наибол передов IGBT технологическ исследован, сопро…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3 — среднечастотный IGBT, производимый с использованием технологии HDMOS IGBT для PT (пирсинга).600V GenX3 ™ направлен на ток прикладн оптимизир…IXBK55N300
IXBK55N300 — семейство IGBT, разработанное компанией ixbk55n300 для производства сверхвысокого напряжения.BiMOSFET имеет преимущества в совместве с MOSFE…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - Силовые MOSFET-транзисторы класса X2 на 600 В, 160 мОм, 18 А с диодом FRED Co-PackКлючевые характеристики MOSFET- Низкие RDS(ON) и QG- Быстрое переключе…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: