sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:NTTFS015P03P8ZTWG
Руководство по данным:NTTFS015P03P8ZTWG.pdf
бренд:ON
год выпуска:23+
пакет:8-WDFN
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 3000
NTTFSFSF 015p3p8ztwg — мосфет с мощностью от одного до 30V P каналов, имеющий сверхнизкий RDS (ON) и повышающий системную эффективность. Устройство использует продвинутую технологию инкапсуляции 3.3x3.3 мм, которая экономит пространство и обеспечивает превосходную теплопроводность.
Свойство продукции
Тип FET: канал P
Технология: MOSFET (окисел металла)
Источник напряжения утечки (Vdss) : 30 V
25 ° C ток-утечк подряд очен (Id) : 13,4 A (та), 47.6 а (тис)
Приводное напряжение (максимальная Rds On, минимальная Rds On) : 4.5V, 10V
Различные Id, Vgs-часовое сопротивление (максимум) : 9.3 миллиoo@12a, 10V
Различн Id Vgs когд (th) (максимум) : степен 3V @ 250 МКМ а
Различные заряды сетки Vgs-часов (Qg) (максимум) : 62,3 nC @10 V
Vgs (максимум) : минус 25V
Различные Vds-часы ввода ёмкости (Ciss) (максимум) : 2706 pF @15 V
Функция FET
Максимальная потеря мощности: 2,66 W (Ta), 33,8 W (Tc)
Температур работ: - 55 ° C - 150 ° C (ти дже)
Тип установки: тип поверхностной наклейки
Упаковка оборудования поставщика: 8-WDFN (3.3x3.3)
Упаковка/оболочка: 8-PowerWDFN
Номер базового продукта: NTTFS015
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
5-DFN
3000
Силовой MOSFET -60 В, 64 А, 14 мОм, одноканальный P, SO8-FL, логический уровень
INFINEON
D2PAK-3
2000
Поверхностно-монтажный P-канал 40 V 120A (Tj) 136W (Tc) D2PAK-3 (TO-263-3)
ON
8-WDFN
3000
Поверхностно-монтажный P-канал 40 V 13A (Ta), 64A (Tc) 3.2W (Ta), 75W (Tc) 8WDFN
ON
8-WDFN
3000
Поверхностно-монтажный P-канал 60 V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) 8WDFN
ON
8-WDFN
2000
Поверхностно-монтажный P-канал 60 V 2.4A (Ta) 3W (Ta), 18W (Tc) 8WDFN
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET с сопротивлением 20 мОм 1200 В и термистор NTC в модуле F1.Характеристика NXH020P120MNF1PGПолумо…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL - это модуль Motion SPM 3, который обеспечивает полнофункциональную, высокопроизводительную выходную ступень инвертора для двигател…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 - это специализированный сопроцессор автомобильных изображений, способный реализовать гибкую платформу камеры с использова…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S представляет собой 650V карбид кремния (SiC) MOSFET. Новая серия 650V M3S Planar SiC MOSFET оптимизирована для применения быстрого переключения. Пл…NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3S представляет собой плоский SiC MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S. Этот 650V карбид кремния (SiC) MOSFET обеспечивает отличные характеристики переключ…NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S представляет собой новое устройство серии 650V M3S Planar SiC MOSFET, оптимизированное для применения быстрого переключения. Плоская техно…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: