sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:P-канальные МОП-транзисторы
бренд:ON
год выпуска:24+
пакет:5-DFN
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 18800
NVMFS9D6P04M8LT1G - это одиночный P-канальный силовой MOSFET.
Характеристики
Компактная конструкция с малой занимаемой площадью
Низкий RDS(on) для минимизации потерь проводимости
Низкая емкость для минимизации потерь в драйвере
NVMFWS9D6P04M8L - изделия со смачиваемой стороны
Сертифицированы по стандарту AEC-Q101 и могут быть изготовлены по PPAP
Эти устройства не содержат свинца, галогенов/бромированных огнестойких соединений и соответствуют требованиям RoHS.
Атрибуты продукции
Тип транзистора: P-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss): 40 В
Ток при 25°C - непрерывный ток стока (Id): 17,1A (Ta), 77A (Tc)
Напряжение питания (макс. Rds On, мин. Rds On): 4,5 В, 10 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 9,5 мОм @ 20A, 10V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 2,4 В при 580 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs: 14,47 нК при 10 В
Vgs (max): ±20 В
Входная емкость (Ciss) при изменении Vds (макс.): 2002 пФ @ 20 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 3,7 Вт (Ta), 75 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс: Автомобильный класс
Квалификация: AEC-Q101
Тип монтажа: поверхностный монтаж
Комплект поставки: 5DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка/корпус: 8-PowerTDFN, 5 выводов
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
5-DFN
3000
Силовой MOSFET -60 В, 64 А, 14 мОм, одноканальный P, SO8-FL, логический уровень
INFINEON
D2PAK-3
2000
Поверхностно-монтажный P-канал 40 V 120A (Tj) 136W (Tc) D2PAK-3 (TO-263-3)
ON
8-WDFN
3000
Поверхностно-монтажный P-канал 40 V 13A (Ta), 64A (Tc) 3.2W (Ta), 75W (Tc) 8WDFN
ON
8-WDFN
3000
Поверхностно-монтажный P-канал 60 V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) 8WDFN
ON
8-WDFN
2000
Поверхностно-монтажный P-канал 60 V 2.4A (Ta) 3W (Ta), 18W (Tc) 8WDFN
ON
8-WDFN
3000
P-каналы 30 V 13,4 A (Ta), 47,6 A (Tc) 2,66 W (Ta) и 33,8 W (Tc) 8WDFN
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET с сопротивлением 20 мОм 1200 В и термистор NTC в модуле F1.Характеристика NXH020P120MNF1PGПолумо…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL - это модуль Motion SPM 3, который обеспечивает полнофункциональную, высокопроизводительную выходную ступень инвертора для двигател…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 - это специализированный сопроцессор автомобильных изображений, способный реализовать гибкую платформу камеры с использова…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S представляет собой 650V карбид кремния (SiC) MOSFET. Новая серия 650V M3S Planar SiC MOSFET оптимизирована для применения быстрого переключения. Пл…NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3S представляет собой плоский SiC MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S. Этот 650V карбид кремния (SiC) MOSFET обеспечивает отличные характеристики переключ…NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S представляет собой новое устройство серии 650V M3S Planar SiC MOSFET, оптимизированное для применения быстрого переключения. Плоская техно…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: