sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:IMZA120R040M1HXKSA1
Руководство по данным:IMZA120R040M1HXKSA1.pdf
бренд:INFINEON
год выпуска:21+
пакет:TO-247-4
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 240
SiC MOSFET IMZA120R040M1H 1200 В 40 мОм CoolSiCTM SiC MOSFET в корпусе TO247-4 основан на передовом траншейном процессе, оптимизированном для повышения производительности и надежности. По сравнению с традиционными устройствами на основе кремния (Si), такими как IGBT и MOSFET, SiC MOSFET обладают многими преимуществами, такими как самый низкий заряд затвора и емкость устройства в переключающих устройствах на 1200 В, отсутствие потерь обратного восстановления в корпусном диоде и выключение. потери зависят от температуры.Характеристики включения с небольшим влиянием и без напряжения колена. Поэтому полевые МОП-транзисторы CoolSiC™ SiC идеально подходят для топологий жесткого переключения и резонансного переключения, таких как схемы коррекции коэффициента мощности (PFC), двунаправленные топологии и преобразователи постоянного тока или инверторы постоянного тока в переменный.
SiC MOSFET от Infineon в корпусе TO247-4 уменьшают влияние паразитной индуктивности истока на схему затвора, обеспечивая более быстрое переключение и более высокую эффективность.
свойства продукта
Производитель Infineon Technologies
Серия CoolSiC™
Упаковочная трубка
N-канальный полевой транзистор
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 В
Ток при 25°C — непрерывный сток (Id) 55A (Tc)
Рабочее напряжение (макс. Rds On, Min Rds On) 15 В, 18 В
Сопротивление во включенном состоянии (макс.) при различных Id, Вгс 54,4 мОм при 19,3А, 18В
Vgs(th) (макс.) при разных Id 5,2 В при 8,3 мА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при различных значениях Vgs 39 нКл при 18 В
Vgs (макс.) +20В, -5В
Входная емкость (Ciss) при Vds (максимум) 1620 нФ при 25 В
Функция полевого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 227 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип крепления Сквозное отверстие
Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-8
Пакет/корпус ТО-247-4
Область применения
формирование батареи
Быстрая зарядка электромобиля
Управление двигателем и привод
источник питания
Решения для солнечной системы
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
TO-263-7
3000
Карбид кремния MOSFET однотрубный 400 В G2, 45 мОм в упаковке D2PAK-7 (TO-263-7)
INFINEON
PG-HSOF-8
3000
Карбид кремния MOSFET однотрубный 400 В G2, 45 мОм в упаковке TOLL (PG-HSOF-8)
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…S25HS512TDSMHV010
S25HS512TDSMHV010 - 166 МГц, 512 Мбит SEMPER™ NOR Flash Memory IC, SOIC-16Номер детали: S25HS512TDSMHV010Упаковка: SOIC-16Тип: ИС флэш-памяти SEMPER™ NORS25HS512TDSMHV010 - Атрибуты изделия: Т…S25HS512TFANHM013
S25HS512TFANHM013 - 166 МГц, 512 Мбит SEMPER™ NOR Flash Memory IC, WSON-8S25HS512TFANHM013 - описание продукта: S25HS512TFANHM013 - это высококачественный продукт SEMPER™ NOR Flash Memory из сем…S25HS512TFABHV010
S25HS512TFABHV010 - 133 МГц, 512 Мбит SEMPER™ NOR Flash Memory IC, FBGA-24S25HS512TFABHV010 - описание продукта: S25HS512TFABHV010 - это продукт SEMPER™ NOR Flash Memory от Infineon, обладающий плотн…S25HS512TDPBHV013
S25HS512TDPBHV013 - 133 МГц, 512 Мбит SEMPER™ NOR Flash Memory IC, FBGA-24S25HS512TDPBHV013 - описание продукта: S25HS512TDPBHV013 - член семейства SEMPER™ NOR Flash Memory, обладающий плотность…S25HL512TFABHV013
S25HL512TFABHV013 - 166 МГц, 512 Мбит SEMPER™ NOR Flash Memory IC, FBGA-24S25HL512TFABHV013 - описание продукта: S25HL512TFABHV013 - это 512-мегабитный модуль памяти из семейства SEMPER™ NOR…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: