sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:FF800R12KE7
Руководство по данным:FF800R12KE7.pdf
бренд:INFINEON
год выпуска:21+
пакет:MODULE
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 100
Описание: IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 800 A Крепление на шасси AG-62MM
свойства продукта
Тип Дискретные полупроводниковые изделия
Категория Транзистор - IGBT - Модуль
Производитель Infineon Technologies
Серия TrenchStop™
упаковочный лоток
траншейный полевой стопор IGBT-типа
Настройка полумоста
Напряжение - пробой коллектор-эмиттер (максимум) 1200 В
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 800 А
Ток - отсечка коллектора (максимум) 100 мкА
Входная емкость (Cies) 122 нФ при 25 В при различных значениях Vce
входной стандарт
Термистор NTC Нет
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (ТДж)
Тип крепления На пьедестале
Модуль упаковки/корпуса
Пакет устройств поставщика AG-62MM
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
MODULE
2000
Трехступенчатый инвертор 1200 В 140 А 280 Вт с траншейным отключением IGBT-модуля Монтаж на шасси
INFINEON
23-DIP
1000
IGBT-модули 3-фазных инверторов 600 В 13 Вт со сквозным отверстием 23-DIP
INFINEON
23-DIP
1000
IGBT-модули 3-фазных инверторов 600 В 13 Вт со сквозным отверстием 23-DIP
INFINEON
23-DIP
1000
IGBT-модули 3-фазных инверторов 600 В 15 Вт со сквозным отверстием 23-DIP
INFINEON
Module
1000
IGBT-модуль с одним чоппером 1200 В 125 А 400 Вт для монтажа на шасси AG-ECONO2B
INFINEON
Module
1000
IGBT-модули Траншея Полевая отсечка Полумост 1200 В 600 А Модули для монтажа на шасси
INFINEON
Module
1000
IGBT-модули Траншея Полевая отсечка 2 Автономные модули 650 В 40 А Монтаж на шасси
INFINEON
Module
1000
IGBT-модуль Траншея Полевая отсечка Полумост 1200 В 2400 А 20 мВт Модуль для монтажа на шасси
INFINEON
Module
1000
IGBT-модуль с траншейной отсечкой поля Трехфазный инвертор 1200 В 150 А 20 мВт Монтаж на шасси AG-ECONO3B
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: