sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:BUK7Y2R0-40HX
Руководство по данным:BUK7Y2R0-40HX.pdf
бренд:Nexperia
год выпуска:23+
пакет:LFPAK56
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 1000
BUK7Y2R0-40HX N канал 40V Trench 9 MOSFET сочетала технологию низковольтного супер-уплотнения с продвинутым герметичным дизайном для достижения высокой производительности и долговечности. Устройство обладает высокой плотностью и эффективностью мощности, а также превосходными свойствами простого спуска или повторной лавины.
спецификац
Тип FET: канал N
Технология: MOSFET (окисел металла)
Напряжение утечки (Vdss) : 40 V
25 ° C ток-утечк подряд очен (Id) : 120A (та)
Приводное напряжение (максимальная Rds On, минимальная Rds On) : 10V
Различные Id, Vgs-часовое сопротивление (максимум) : 2 миллиoo@25a, 10V
Различные идентификационные часы Vgs(th) (максимум) : 3.6V @1ma
Различные заряды сетки Vgs-часов (Qg) (максимум) : 90,5 nC @10 V
Vgs (максимум) : +20V, минус 10V
Во время различных Vds-часов входная ёмкость (Ciss) (максимум) : 5450 pF @25 V
Функция FET
Дисперсия мощности (максимум) : 217W (Ta)
Температур работ: - 55 ° C - 175 ° C (ти дже)
Тип установки: тип поверхностной наклейки
Упаковка оборудования поставщика: LFPAK56, Power-SO8
Инкапсуляция/оболочка: SC-100, SOT-669
Номер базового продукта: BUK7Y2
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-TDSON-8
2000
100 В, N-Ch, 28 мОм макс, автомобильный MOSFET, двойной SSO8 (5x6), OptiMOS™ 5
INFINEON
PG-TDSON-8
3000
100 В, N-Ch, максимальное значение 2,1 м, MOSFET класса транспортного средства, SSO8 (5x6), OptiMOS ™ 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40В, N-Ch, максимальное значение 0,82 м, MOSFET класса транспортного средства, sTOLL (7x8), OptiMOS ™ 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, максимальное значение 0.72m, MOSFET, sTOLL (7x8), OptiMOS ™ 7
INFINEON
PG-HSOF-5
3000
40V, N-Ch, максимальное значение 0,57m, MOSFET, sTOLL (7x8), OptiMOS ™ 7
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Ansys Semiconductor (China) Co. Nexperia - ведущий мировой производитель, специализирующийся на производстве дискретных приборов, логических устройств и М…
PSC2065JJ
SiC диоды Шоттки PSC2065JJ для сверхвысокой производительности, низких потерь и высокой эффективности преобразования энергии. SiC диод Шоттки, …PSC2065LQ
SiC диоды Шоттки PSC2065LQ для сверхвысокой производительности, низких потерь и высокой эффективности преобразования энергии. SiC диод Шоттки, …GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ — 650V, 33 m Ω нитрид галл (ид) фет, CCPAK1212i инкапсуляц сверточн, низк индуктивн, низк выключател потер и высок надёжност.Спецификация на…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP — 650 V 33m Ω нитрид галл (ид) фет, CCPAK1212 инкапсуляц. Устройство использует соединение без проводов, оптимизируемое экзотермическое и…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ двусторон ид фет — 40V, 4,8 m Ω двухсторон нитрид галл (ид) электрон подвижн транзистор (HEMT). GANB4R8-040CBA — обычный закрытый emode FET, имеющий …GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ нитрид галл (ид) фет — универсальн 150V, 3,9 m Ω нитрид галл (ид) фет. Ганее3r9 -150QBA — устройство, часто закрывающееся в электронных модел…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: