Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Модуль усилителя мощности Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели Изолирующие усилители Контроллер цифрового дисплея Цифровой контроллер Аудиопроцессоры

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио Soc

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики - датчики освещенности, инфракрасные датчики, ультрафиолетовые датчики Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Оптические датчики - окружающее освещение Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Оптические датчики - Отражающие - Логический выход Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики

Память

Флэш-память NOR оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Встраиваемые и сетевые процессоры

Безопасные процессоры
Первая страница /Память/Динамическая память с произвольным доступом DRAM

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

MT53E2G64D8TN-046 AUT:C

MT53E2G64D8TN-046 AUT:C

Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - Мобильная память LPDDR4X 128 Гб параллельная 2,133 ГГц 3,5 нс 556-LFBGA (12,4x12,4)

пакет:556-LFBGA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT53E2G64D8TN-046 AAT:C

MT53E2G64D8TN-046 AAT:C

Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - Мобильная память LPDDR4X 128 Гб параллельная 2,133 ГГц 3,5 нс 556-LFBGA (12,4x12,4)

пакет:556-LFBGA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT53E2G64D8TN-046 AIT:C

MT53E2G64D8TN-046 AIT:C

Micron

Produktbeschreibung:Динамическая память с произвольным доступом LPDDR4 128 Гб 2GX64 FBGA

пакет:556-LFBGA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT53E2G64D8TN-046 WT:C

MT53E2G64D8TN-046 WT:C

Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - Мобильная память LPDDR4X 128 Гб параллельная 2,133 ГГц 3,5 нс 556-LFBGA (12,4x12,4)

пакет:556-TFBGA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C

MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C

Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - Мобильная память LPDDR4X 64 Гб параллельная 2,133 ГГц 3,5 нс 556-WFBGA (12,4x12,4)

пакет:556-TFBGA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C

MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C

MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C.pdf
Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - Мобильная память LPDDR4 96 Гб 2,133 ГГц 556-WFBGA (12,4x12,4)

пакет:556-TFBGA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT44K16M36RB-093E IT:B

MT44K16M36RB-093E IT:B

MT44K16M36RB-093E IT:B.pdf
Micron

Produktbeschreibung:DRAM Память IC 576 Мб Параллельная 1,066 ГГц 8 нс 168-BGA (13,5x13,5)

пакет:BGA-168
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT44K64M18RB-107E:A

MT44K64M18RB-107E:A

MT44K64M18RB-107E:A.pdf
Micron

Produktbeschreibung:RLDRAM 3 Память IC 1.125 Гб Параллельная 933 МГц 8 нс 168-BGA (13.5x13.5)

пакет:BGA-168
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IS66WVH8M8DALL-200B1LI

IS66WVH8M8DALL-200B1LI

IS66WVH8M8DALL-200B1LI.pdf
ISSI

Produktbeschreibung:Динамическая память с произвольным доступом 2 Гб 96 шаров FBGA DDR3L 1866

пакет:TFBGA-24
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
D1216ECMDXGJD-U

D1216ECMDXGJD-U

D1216ECMDXGJD-U.pdf
Kingston

Produktbeschreibung:Динамическая память с произвольным доступом 2 Гб 96 шаров FBGA DDR3L 1866

пакет:FBGA96
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IS43LR32640B-5BLI

IS43LR32640B-5BLI

IS43LR32640B-5BLI.pdf
ISSI

Produktbeschreibung:SDRAM - мобильная память LPDDR IC 2Gb Parallel 208 MHz 5 ns 90-TFBGA (8x13)

пакет:BGA-90
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IS43TR16512BL-125KBLI

IS43TR16512BL-125KBLI

IS43TR16512BL-125KBLI.pdf
ISSI

Produktbeschreibung:SDRAM - DDR3L Память ИС 8 Гб Параллельная 800 МГц 20 нс 96-TWBGA (10x14)

пакет:96-TFBGA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IS43TR16K01S2AL-125KBL

IS43TR16K01S2AL-125KBL

IS43TR16K01S2AL-125KBL.pdf
ISSI

Produktbeschreibung:SDRAM - DDR3L Memory IC 16Gb Parallel 800 MHz 20 ns 96-LWBGA (10x14)

пакет:96-LFBGA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IS43LD32128B-25BLI

IS43LD32128B-25BLI

IS43LD32128B-25BLI.pdf
ISSI

Produktbeschreibung:SDRAM - Мобильная память LPDDR2-S4 ИС 4 Гб HSUL_12 400 МГц 5,5 нс 134-TFBGA (10x11,5)

пакет:BGA-134
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IS43LD32128B-18BPLI

IS43LD32128B-18BPLI

IS43LD32128B-18BPLI.pdf
ISSI

Produktbeschreibung:SDRAM - Мобильная память LPDDR2-S4 ИС 4 Гб HSUL_12 533 МГц 5,5 нс 168-VFBGA (12x12)

пакет:BGA-168
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
IS43LD32128B-18BLI

IS43LD32128B-18BLI

IS43LD32128B-18BLI.pdf
ISSI

Produktbeschreibung:SDRAM - Мобильная память LPDDR2-S4 ИС 4 Гб HSUL_12 533 МГц 5,5 нс 134-TFBGA (10x11,5)

пакет:BGA-134
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 229 записи«Предыдущая страница12345...15Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler