sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Память DRAM
бренд:Alliance
год выпуска:24+
пакет:FBGA-96
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
Память AS4C512M16D3LC-10BIN 8Gb (Twin Die) Double-Data-Rate-3L DRAM имеет архитектуру с двойной скоростью передачи данных для достижения высокой скорости работы. Внутри она сконфигурирована как восьмибанковая DRAM.
Особенности AS4C512M16D3LC-10BIN
Использование двух матриц x8, 4 Гб для создания одного пакета x16 - одноранговая двойная матрица
Соответствует стандарту JEDEC
Источники питания: VDD & VDDQ = +1.35V
Обратная совместимость с VDD & VDDQ =+1.5V±0.075V
Поддерживает спецификацию JEDEC по джиттеру синхронизации
Полностью синхронная работа
Быстрая тактовая частота: 800/933 МГц
Дифференциальный тактовый генератор, CK и CK#
Двунаправленный дифференциальный строб данных - DQS и DQS#
8 внутренних банков для одновременной работы
8n-битная архитектура предварительной выборки
Конвейерная внутренняя архитектура
Предварительный заряд и активное отключение питания
Программируемые регистры режима и расширенного режима
Аддитивная задержка (AL): 0, CL-1, CL-2
Программируемая длина серии: 4, 8
Тип серии: Sequential / Interleave
Управление импедансом выходного драйвера
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Kingston
FBGA-200
2000
Усилитель РЧ с усилением 10 дБ от 10 МГц до 11 ГГц с полосой 3 дБ от одностороннего до разностного
Kingston
FBGA-200
3000
ИС динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) с низким энергопотреблением 64 Гбит LPDDR4x
Kingston
FBGA-96
1000
Динамическая память с произвольным доступом 4Gb 96-ball FBGA DDR3L 1866 IT
SAMSUNG
315-FBGA
2000
ИС динамической памяти с произвольным доступом с низким энергопотреблением
SAMSUNG
FBGA-200
2000
ИС динамической памяти 64 Гбит LPDDR4X для мобильных устройств
SAMSUNG
496-FBGA
2000
ИС динамической памяти с произвольным доступом с низким энергопотреблением
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Alliance Memory - глобальный бесфабричный производитель традиционных и новых технологий памяти, используемых в качестве прямой замены SRAM, DRAM и N…
AS9F38G08SA-25BIN
AS9F38G08SA-25BIN - это 8 Гбит SLC Parallel NAND флэш-память, предлагаемая с питанием 3,3 В Vcc и интерфейсом ввода/вывода x8. Ее ячейка NAND представляет собой на…AS9F34G08SA-25BIN
Номер детали: AS9F34G08SA-25BINУпаковка: FBGA-63Тип: NAND флэш-памятьПодробное описание: AS9F34G08SA-25BIN - 4 Гбит, x8 бит, 3.3 В SLC Parallel NAND флэш-памятьAS9F34G08SA-25BIN - Ат…AS9F32G08SA-25BIN
AS9F32G08SA-25BIN - 2 Гбит, x8 бит, 3,3 В SLC Parallel NAND флэш-памятьAS9F32G08SA-25BIN - Атрибуты продукта: Тип памяти: ЭнергонезависимаяФормат памяти: FLASHТехнологии…AS9F31G08SA-25BIN
AS9F31G08SA-25BIN - 1 Гбит, x8 бит, 3,3 В SLC Parallel NAND флэш-памятьAS9F31G08SA-25BIN - Описание продукта:AS9F31G08SA-25BIN - это SLC Parallel NAND Flash Memory, предлагаемая с питанием 3,3 …AS6C1616C-45TINTR
AS6C1616C-45TINTR - 16 Мб (1М x 16 бит) CMOS SRAM с низким энергопотреблением и переключаемыми вариантами ввода-вывода (x16 или x8)AS6C1616C-45TINTR - Описание продукт…AS4C1G8D4A-62BCN
AS4C1G8D4A-62BCN - это высокоскоростная динамическая память с произвольным доступом, внутренне организованная из шестнадцати банков. Для достиж…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: