Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Приемопередатчик линии электропередачи Петля с фазовой автоподстройкой - PLL Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Модуль усилителя мощности Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели Изолирующие усилители Контроллер цифрового дисплея

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио Soc

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Разъем USB Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Встраиваемые и сетевые процессоры

Безопасные процессоры
Первая страница /Интегральная схема (ИС)/силовое устройство/IGBT - биполярный транзистор с изолированным затвором

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

NVH640S75L4SPB

NVH640S75L4SPB

NVH640S75L4SPB.PDF
ON

Produktbeschreibung:Автомобильный силовой модуль 750 В, 640 А с односторонним прямым охлаждением в упаковке 6 шт.

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH800A100L4Q2F2P2G

NXH800A100L4Q2F2P2G

NXH800A100L4Q2F2P2G.pdf
ON

Produktbeschreibung:Трехуровневый модуль ANPC Q2Pack

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH800A100L4Q2F2P1G

NXH800A100L4Q2F2P1G

NXH800A100L4Q2F2P1G.pdf
ON

Produktbeschreibung:Трехуровневый модуль ANPC Q2Pack

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH75M65L4Q1SG

NXH75M65L4Q1SG

NXH75M65L4Q1SG.pdf
ON

Produktbeschreibung:IGBT-модуль траншейный полевой полумост 650 В 59 А 86 Вт монтаж на шасси 53-PIM

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVG450A120L5DSC

NVG450A120L5DSC

NVG450A120L5DSC.PDF
ON

Produktbeschreibung:Автомобильный полумостовой силовой модуль 1200 В, 450 А с двухсторонним охлаждением

пакет:Модуль
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH75M65L4Q1PTG

NXH75M65L4Q1PTG

NXH75M65L4Q1PTG.pdf
ON

Produktbeschreibung:IGBT-модуль траншейный полевой полумост 650 В 59 А 86 Вт монтаж на шасси 53-PIM/Q2PACK

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVG800A75L4DSB2

NVG800A75L4DSB2

NVG800A75L4DSB2.PDF
ON

Produktbeschreibung:IGBT-модуль полумостового инвертора 750 В 800 А со сквозным отверстием

пакет:15-PowerDIP Модуль
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH450N65L4Q2F2S1G

NXH450N65L4Q2F2S1G

NXH450N65L4Q2F2S1G.pdf
ON

Produktbeschreibung:3-уровневый модуль инвертора NPC

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH450N65L4Q2F2SG

NXH450N65L4Q2F2SG

NXH450N65L4Q2F2SG.pdf
ON

Produktbeschreibung:3-уровневый модуль инвертора NPC

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH450N65L4Q2F2PG

NXH450N65L4Q2F2PG

NXH450N65L4Q2F2PG.pdf
ON

Produktbeschreibung:3-уровневый модуль инвертора NPC

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH160T120L2Q1SG

NXH160T120L2Q1SG

NXH160T120L2Q1SG.pdf
ON

Produktbeschreibung:IGBT-модуль траншейный полевой полумост 1200 В 140 А 280 Вт Монтаж на шасси 30-PIM

пакет:Module
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FGY75T120SQDN

FGY75T120SQDN

FGY75T120SQDN.PDF
ON

Produktbeschreibung:Отсечка поля IGBT 1200 В 150 А 790 Вт Сквозное отверстие TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NXH50M65L4C2ESG

NXH50M65L4C2ESG

NXH50M65L4C2ESG.pdf
ON

Produktbeschreibung:Модуль IGBT состоит из трёх противоположных фазеров: 650 V, 50 A, 20 mW и 27-DIP

пакет:27-DIP
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FGH4L50T65MQDC50

FGH4L50T65MQDC50

FGH4L50T65MQDC50.pdf
ON

Produktbeschreibung:650 В Полевой останов 4-го поколения среднескоростных IGBT с диодом SiC в копакете

пакет:TO-247-4
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
FGHL50T65MQDT

FGHL50T65MQDT

FGHL50T65MQDT.PDF
ON

Produktbeschreibung:IGBT с рифленым полем отсечки 650 В 80 А 268 Вт Сквозное отверстие TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
10
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
NVG800A75L4DSC2

NVG800A75L4DSC2

NVG800A75L4DSC2.PDF
ON

Produktbeschreibung:IGBT-модуль полумостового инвертора 750 В 550 А со сквозным отверстием AHPM15-CEA

пакет:Module
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 102 записи«Предыдущая страница1234567Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler