Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

IPDQ60R020CFD7

Produktbeschreibung:600-вольтовый силовой транзистор CoolMOS™ CFD7, PG-HDSOP-22

пакет:PG-HDSOP-22
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPF129N20NM6

Produktbeschreibung:Силовой MOSFET OptiMOS™ 6 с нормальным уровнем напряжения 200 В в 7-контактном корпусе D²PAK

пакет:PG-TO263-7
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF2000XTR17IE5

Produktbeschreibung:1700 В, 2000 А Двойной модуль IGBT

пакет:Module
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP076N15N5

Produktbeschreibung:Канал N со сквозным отверстием 150 В 112A (Tc) 214W (Tc) PG-TO220-3

пакет:TO-220-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFP3006PBF

Produktbeschreibung:60 В Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор StrongIRFET™ в корпусе TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFB5615PBF

Produktbeschreibung:N-канальные силовые 150-вольтовые MOSFET-транзисторы

пакет:TO-220-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFB4229PBF

Produktbeschreibung:N-канальные силовые 250-вольтовые MOSFET-транзисторы

пакет:TO-220-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP034N08N5

Produktbeschreibung:N-канальные силовые 80-вольтовые MOSFET-транзисторы

пакет:TO-220-3
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP70N10S3L12

Produktbeschreibung:Infineon Technologies 75-100 В N-канальные автомобильные МОП-транзисторы

пакет:TO-220-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN04S7N015

Produktbeschreibung:Силовые МОП-транзисторы Infineon Technologies OptiMOS™ 7

пакет:8-PowerTDFN
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSZ105N04NSG

Produktbeschreibung:N-канальные силовые MOSFET транзисторы 40 В

пакет:TSDSON-8
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN10S5L094D

Produktbeschreibung:Автомобильные N-канальные силовые MOSFET транзисторы

пакет:TDSON-8
10 шт.
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP70N12S311

Produktbeschreibung:120 В, N-Ch, 11,3 мОм макс, автомобильный MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T

пакет:TO-220-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPD088N06N3G

Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канальный 60 В 50 А (Тс) 71 Вт (Тс) PG-TO252-3

пакет:TO-252-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFP3077PBF

Produktbeschreibung:75 В Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор StrongIRFET™ в корпусе TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFP4332PBF

Produktbeschreibung:250 В Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор StrongIRFET™ в корпусе TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 412 записи«Предыдущая страница1234...26Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler