sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
бренд:
рисунок продукции
тип
марка
описание параметров
количество заказа
запасы
количество покупки
единичная цена
операция
Produktbeschreibung:SiC FET транзисторы 750 В, 10,7 мОм
пакет:MO-229-8Produktbeschreibung:Транзисторы SiC FET MOSFET на 750 В, 23 мОм
пакет:MO-229-8Produktbeschreibung:SiC FET транзисторы 1200 В, 53 мОм
пакет:TO263-7Produktbeschreibung:SiC FET транзисторы 1200 В, 53 мОм
пакет:TO263-7Produktbeschreibung:SiC FET транзисторы 1200 В, 72 мОм
пакет:TO263-7Produktbeschreibung:Транзисторы SiC FET MOSFET на 750 В, 23 мОм
пакет:D2PAK-7Produktbeschreibung:SiC FET транзисторы 1200 В, 72 мОм
пакет:TO263-7Produktbeschreibung:Тип крепления на поверхность N канал 650 В 27A (Tc) 136,4 Вт (Tc) D2PAK-7
пакет:D2PAK-7Produktbeschreibung:Канал N со сквозным отверстием 650 В 85A (Tc) 441 Вт (Tc) TO-247-4
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:Канал N со сквозным отверстием 1200 В 18,4 А (Тс) 166,7 Вт (Тс) TO-247-4
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:Сквозное отверстие N-канал 1200 В 120A (Tc) 789 Вт (Tc) TO-247-4
пакет:TO-247-4Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канал 1700 В 7,6A(Tc) 100 Вт(Tc) D2PAK-7
пакет:D2PAK-7Produktbeschreibung:Поверхностный монтаж N-канальный 1200 В 47A (Tc) 214 Вт (Tc) D2PAK-7
пакет:D2PAK-7Produktbeschreibung:Сквозное отверстие N-канал 1200 В 33A (Тс) 254,2 Вт (Тс) TO-247-3
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:Канал N со сквозным отверстием 650 В 85A (Tc) 441 Вт (Tc) TO-247-3
пакет:TO-247-3Produktbeschreibung:Сквозной N-канал 650 В 54A (Тс) 326 Вт (Тс) TO-247-3
пакет:TO-247-3контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: